III族氮化物器件及形成III族氮化物器件的方法.pdf

一种III族氮化物器件及形成III族氮化物器件的方法，该方法包括：在缓冲层上形成作为沟道层的第一III族氮化物材料层；在第一III族氮化物材料层的相对于缓冲层的相反侧上形成第二III族氮化物材料层，第一III族氮化物材料层和第二III族氮化物材料层之间的组分差异在第一III族氮化物材料层中感生出2DEG沟道；在缓冲层和沟道层之间形成分散阻挡层，其掺杂有Fe，Mg，Be，C或Zn；在沟道层和分散阻挡层的界面处的负电荷的薄片或分布将电子限制为远离缓冲层；在沟道层和分散阻挡层的界面处的带边不连续使得直接与界面相

2023-06-14

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III族氮化物半导体晶体、III族氮化物半导体器件以及发光器件.pdf

本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下

2023-06-14

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III族氮化物半导体发光器件.pdf

本发明提供了一种在不增加驱动电压的情况下呈现提高的发光效率的III族氮化物半导体发光器件。该III族氮化物半导体发光器件包括蓝宝石衬底；以及，依次沉积在蓝宝石衬底上的均由III族氮化物半导体形成的n接触层、n覆层、发光层、p覆层和p接触层。n覆层包括依次在n接触层上的高杂质浓度层和低杂质浓度层这两个层，并且低杂质浓度层与发光层接触。低杂质浓度层是n型杂质浓度低于高杂质浓度层的层，低杂质浓度层的n型杂质浓度为p覆层的p型杂质浓度的1/1000至1/100，并且具有至的厚度。

2023-06-14

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III族氮化物半导体发光器件.pdf

本发明提供一种光提取性能改善的III族氮化物半导体发光器件，包括导电基底；设置在基底上的p-电极；由III族氮化物半导体形成并依次设置在p-电极上的p-型层、有源层和n-型层；和连接n-型层的n-电极。根据一个实施方案，发光器件包括从p-型层在p-电极侧上的表面延伸到n-型层的第一沟槽；与用作第一沟槽底部的n-型层表面接触但不接触第一沟槽侧壁的辅助电极；和具有透光性并覆盖辅助电极和第一沟槽的底部和侧壁的绝缘膜。根据另一实施方案，发光器件包括第二沟槽，其设置在沿垂直于器件主表面的方向面对部分辅助电极的区域中

2023-06-14

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III族氮化物半导体发光器件.pdf

本发明涉及一种III族氮化物半导体发光器件，更具体地，涉及一种通过电子-空穴复合而发光的III族氮化物半导体发光器件，该III族氮化物半导体发光器件包括：第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极提供用于电子-空穴复合的电流；第一分支电极，该第一分支电极从所述第一电极延伸；以及第二分支电极，该第二分支电极从所述第二电极延伸，其中所述第二分支电极的至少某些部分的厚度不同于所述第一分支电极的厚度。

2023-06-14

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