Ⅲ族氮化物发光器件的新结构研究和特性表征.docx
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Ⅲ族氮化物发光器件的新结构研究和特性表征.docx
Ⅲ族氮化物发光器件的新结构研究和特性表征Ⅲ族氮化物发光器件是当前照明和电子领域研究的热点之一。它们具有高可靠性、长寿命、高效率、高亮度等特点,已广泛应用于照明、显示、通讯、激光、生物医学等领域。近年来,为了进一步提高氮化物发光器件的性能,一些新的结构和技术被提出和研究。本文将主要介绍几种新结构,同时分析它们的特点和优缺点,以及适用的领域。1.垂直结构垂直结构是指发光层和电极垂直排列的结构。它可以减小串扰效应和光衰减,提高光提取效率和均匀度。同时,通过对发光层进行优化或引入量子阱结构,可以进一步提高发光效率
Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究.docx
Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究摘要:Ⅲ族氮化物量子阱是一种具有显著光电性能的半导体材料,其发光特性的研究对于理解和应用于光电器件中具有重要意义。本文综述了Ⅲ族氮化物量子阱的发光机制、发光特性和影响因素,并介绍了研究中的最新进展和应用前景。研究表明,Ⅲ族氮化物量子阱的发光特性受到多种因素的影响,包括晶格匹配、界面质量、材料合金化等。光子束状态有助于提高发光效率和色纯度。此外,Ⅲ族氮化物量子阱还可以应用于激光器、发光二极管、太阳能电池等领域。未来的研究可以进一步优化材料制备工艺和
III族氮化物半导体发光器件.pdf
本发明提供了一种在不增加驱动电压的情况下呈现提高的发光效率的III族氮化物半导体发光器件。该III族氮化物半导体发光器件包括蓝宝石衬底;以及,依次沉积在蓝宝石衬底上的均由III族氮化物半导体形成的n接触层、n覆层、发光层、p覆层和p接触层。n覆层包括依次在n接触层上的高杂质浓度层和低杂质浓度层这两个层,并且低杂质浓度层与发光层接触。低杂质浓度层是n型杂质浓度低于高杂质浓度层的层,低杂质浓度层的n型杂质浓度为p覆层的p型杂质浓度的1/1000至1/100,并且具有至的厚度。
III族氮化物半导体发光器件.pdf
本发明涉及一种III族氮化物半导体发光器件,更具体地,涉及一种通过电子-空穴复合而发光的III族氮化物半导体发光器件,该III族氮化物半导体发光器件包括:第一电极和第二电极,该第一电极和第二电极提供用于电子-空穴复合的电流;第一分支电极,该第一分支电极从所述第一电极延伸;以及第二分支电极,该第二分支电极从所述第二电极延伸,其中所述第二分支电极的至少某些部分的厚度不同于所述第一分支电极的厚度。
III族氮化物半导体发光器件.pdf
本发明提供一种防止反射膜中的迁移的III族氮化物半导体发光器件。倒装芯片型III族氮化物半导体发光器件包括:蓝宝石衬底;以及依次形成在蓝宝石衬底上的n型层、发光层和p型层。在p型层的表面上设置有深度到达n型层的多个孔。在p型层的几乎整个表面上形成有ITO电极,并且在ITO电极上设置有SiO2绝缘膜。绝缘膜中包括Ag反射膜。在反射膜上的区域中经由绝缘膜形成有导电膜。导电膜还连接至设置在p型层上的ITO电极。利用这种结构,反射膜位于等电位区域中,由此防止迁移。