发光元件材料前体和其制造方法.pdf
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发光元件材料前体和其制造方法.pdf
本发明的课题是,依靠过去的方法难以制造的发光元件材料前体可以制造,以及通过该前体提供适合湿式工艺的材料和使用该材料制造有机EL元件的制造方法。本发明是通式(1)所示的发光元件材料前体。(其中,R1~R6既可以相同也可以不同,分别选自氢原子、烷基、环烷基、链烯基、环链烯基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基和卤原子。但R1~R6中的至少1个具有2环以上的稠合芳香族烃。)
用于LED发光元件的复合材料基板、其制造方法及LED发光元件.pdf
本发明提供与构成LED的III-V族半导体晶体的线热膨胀系数差较小且导热性优良,适合作为高功率LED使用的LED发光元件用基板。如下制备LED发光元件用复合材料基板:通过液态模锻法、以30MPa以上的浸渗压力使铝合金或纯铝浸渗多孔体,裁切和/或磨削加工成板厚为0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm后,在表面形成含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn中的1种以上的金属的金属层,使得金属层厚度达到0.5-15μm,所述多孔体由选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧
制造发光元件的方法和发光元件.pdf
一种用于制造发光元件的方法涉及用于制造III-V族化合物半导体的发光元件的方法,所述III-V族化合物半导体具有包括In和N的量子阱结构,所述方法包括如下步骤:形成包括In和N的阱层(13a);形成势垒层(13b),所述势垒层(13b)具有的带隙比所述阱层(13a)的带隙宽;以及在形成所述阱层(13a)的步骤之后以及形成所述势垒层(13b)的步骤之前,供应包括N的气体并且中断外延生长。在中断外延生长的所述步骤中,供应具有的分解效率高于N2和NH3在900℃下分解为活性氮的分解效率的气体。另外,在中断外延生
有机发光元件、其制造方法以及有机发光元件的有机层的组成物.pdf
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发光元件及发光元件的制造方法.pdf
本发明公开了一种发光元件及发光元件的制造方法。该发光元件包括半导体层、金电极层、绝缘膜、阻挡金属层和铝配线层。金电极层形成在半导体层的一部分上并与该半导体层电连接。金电极层由包括金在内的金属制成。绝缘膜将半导体层覆盖并具有与金电极层对应的接触开口。阻挡金属层将金电极层、以及绝缘膜的位于接触开口附近的上表面覆盖。铝配线层形成在阻挡金属层上并与该阻挡金属层电连接。