大尺寸发光器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102751414A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102751414A(43)申请公布日2012.10.24(21)申请号201210116663.0(22)申请日2012.04.19(30)优先权数据13/090,9182011.04.20US(71)申请人亚威朗集团有限公司地址中国香港中环都爹利街律敦治大厦12楼(72)发明人张剑平闫春辉(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人臧建明杨文娟(51)Int.Cl.H01L33/38(2010.01)H01L33/02(2010.01)H01L33/10(2010.01)H01L33/00(2010.01)权利要求书权利要求书3页3页说明书说明书55页页附图附图44页(54)发明名称大尺寸发光器件及其制造方法(57)摘要一种大尺寸发光器件及其制造方法。一种III族氮化物发光器件，其衬底上具有由导电线构成的导电网格，激活层夹在N型层和P型层之间构成LED结构，导电网格与N型层之间形成欧姆接触，及一种制造该器件的方法。CN102754ACN102751414A权利要求书1/3页1.一种III族氮化物发光器件，包含：衬底；在该衬底上形成的由导电线构成的导电网格，其中该导电网格的导电线之间距离在10-150微米之间，导电线厚度在0.5-2微米之间，且导电线的宽度在5-15微米之间；在所述衬底和导电网格上形成的N型层，其中该N型层与导电网格是欧姆接触；P型层；以及夹在所述N型层和P型层之间的激活层。2.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，进一步包括与所述导电网格直接接触的N电极，其中该N电极包括接触盘和环绕LED平台的指状延伸。3.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，其中所述N型层的底部采用比上部更高的硅掺杂。4.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，进一步包括在所述衬底上形成的N型样板层，其中所述导电网格位于样板层上并与之欧姆接触，N型层则位于样板层和导电网格上。5.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，进一步包括位于所述导电网格上的保护层，其中该保护层是由氧化硅、氮化硅或氧化钛构成。6.如权利要求5所述的III族氮化物发光器件，其中所述保护层包含一对或多对氧化硅/氧化钛层，形成分布布拉格反射器，对可见光的反射率高于95％。7.如权利要求4所述的III族氮化物发光器件，其中所述导电网格是以样板层上的导电线构成，或者是以样板层的沟壑中的导电线构成。8.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，其中所述导电网格是以衬底上的导电线构成，或者是以衬底的沟壑中的导电线构成。9.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，其中所述导电网格是二维方形网格、或具有一内角为60度的平行四边形网格，或六边形网格，并且均匀分布于整个衬底。10.如权利要求1所述的III族氮化物发光器件，其中所述导电网格是由氮化钪(ScN)、氮化钇(YN)、氮化钛(TiN)、氮化锆(ZrN)、氮化铪(HfN)、氮化钒(VN)、氮化铌(NbN)、氮化钽(TaN)、氮化铬(CrN)、氮化钼(MoN)或氮化钨(WN)构成。11.一种用于III族氮化物发光器件的晶圆衬底，包括：衬底；以及在该衬底上形成的由导电线构成的导电网格，其中该导电网格的导电线之间距离在10-150微米之间，导电线厚度在0.5-2微米之间，且导电线的宽度在5-15微米之间。12.如权利要求11所述的晶圆衬底，进一步包括在所述衬底上形成的N型样板层，其中所述导电网格位于样板层上并与样板层形成欧姆接触。13.如权利要求11所述的晶圆衬底，进一步包括位于所述导电网格上的保护层，其中该保护层由氧化硅、氮化硅或氧化钛构成。14.如权利要求13所述的晶圆衬底，其中所述保护层包含一对或多对氧化硅/氧化钛层，形成分布布拉格反射器，对可见光的反射率高于95％。15.如权利要求12所述的晶圆衬底，其中所述导电网格由位于样板层上的导电线构成，或者是由样板层的沟壑中的导电线构成。2CN102751414A权利要求书2/3页16.如权利要求11所述的晶圆衬底，其中所述导电网格由位于衬底上的导电线构成，或者是由衬底的沟壑中的导电线构成。17.如权利要求11所述的晶圆衬底，其中所述导电网格是二维方形网格，或具有一内角为60度的平行四边形网格，或六边形网格，并且均匀分布于整个衬底。18.如权利要求11所述的晶圆衬底，其中所述导电网格是由氮化钪(ScN)、氮化钇(YN)、氮化钛(TiN)、氮化锆(ZrN)、氮化铪(HfN)、氮化钒(VN)、氮化铌(NbN)、氮化钽(TaN)、氮化铬(CrN)、氮化钼(MoN)或氮化钨(WN)构成。19.一种使用权利要求11所述的晶圆衬底的III族氮化物发光器件的晶