发光器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112968083A(43)申请公布日2021.06.15(21)申请号202011219786.8(22)申请日2020.11.04(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人王涛(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240代理人王晓玲(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/36(2010.01)H01L33/44(2010.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称发光器件及其制造方法(57)摘要本发明涉及一种发光器件及其制造方法。该制造方法包括以下步骤：提供表面具有外延结构的衬底，外延结构具有依次层叠在衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；在外延结构上形成电极孔，电极孔穿过第二半导体层和有源层；在外延结构上顺序形成牺牲层和钝化层，牺牲层覆盖第二半导体层远离衬底一侧的第一表面，钝化层覆盖牺牲层和电极孔的内表面；去除第一表面上的钝化层、电极孔底表面的钝化层以及牺牲层，保留电极孔侧表面的钝化层；在第一表面一侧形成第一电极和第二电极，第一电极与第二半导体层电连接，第二电极穿过电极孔与第一半导体层电连接。上述制造方法避免了电极孔的光刻工艺窗口小而导致的刻蚀困难，有利于芯片尺寸的微缩化。CN112968083ACN112968083A权利要求书1/2页1.一种发光器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供表面具有外延结构的衬底，所述外延结构具有依次层叠在所述衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；在所述外延结构上形成电极孔，所述电极孔穿过所述第二半导体层和所述有源层；在所述外延结构上顺序形成牺牲层和钝化层，所述牺牲层覆盖所述第二半导体层远离所述衬底一侧的第一表面，所述钝化层覆盖所述牺牲层和所述电极孔的内表面；去除所述第一表面上的钝化层、所述电极孔底表面的钝化层以及所述牺牲层，保留所述电极孔侧表面的钝化层；在所述第一表面一侧形成第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第二半导体层电连接，所述第二电极穿过所述电极孔与所述第一半导体层电连接。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述外延结构上形成所述牺牲层的步骤包括：在所述衬底上沉积牺牲层材料，以使所述牺牲层材料覆盖所述第一表面和所述电极孔的内表面；对所述牺牲层材料进行图案化处理，以去除所述电极孔中的所述牺牲层材料，得到覆盖所述第一表面的所述牺牲层。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层材料选自光刻胶、二氧化硅、氮化硅和铝中的任一种或多种。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用ALD沉积工艺在所述牺牲层上以及所述电极孔的内表面覆盖所述钝化层。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用ICP刻蚀工艺去除对应所述第一表面的所述钝化层和位于所述电极孔的底表面的所述钝化层。6.如权利要求1至5中任一项所述的制造方法，其特征在于，在所述第一表面一侧形成所述第一电极和所述第二电极的步骤包括：采用光刻工艺形成覆盖所述第一表面的图形化掩膜，所述图形化掩膜具有与所述第一表面和所述电极孔连通的图形化通孔；在所述衬底上沉积电极材料，以使所述电极材料填充于所述图形化通孔和所述电极孔中；去除所述图形化掩膜，以得到所述第一电极和所述第二电极。7.如权利要求1至5中任一项所述的制造方法，其特征在于，在提供所述衬底的步骤中，所述衬底上具有多个所述外延结构，相邻所述外延结构之间具有间隔区域。8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述外延结构上形成所述钝化层的步骤中，所述钝化层还覆盖于所述间隔区域中的所述衬底上；在去除所述第一表面上的所述钝化层和所述电极孔底表面的所述钝化层的步骤中，去除位于所述间隔区域中的至少部分所述钝化层，以使位于所述间隔区域中的所述衬底表面裸露。9.根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法，其特征在于，在所述第一表面一侧形成所述第一电极和所述第二电极的步骤之后，所述制造方法还包括将所述外延结构从所述2CN112968083A权利要求书2/2页衬底表面剥离的步骤。10.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件由权利要求1至9中任一项所述的制造方法制造而成。3CN112968083A说明书1/6页发光器件及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制造方法。背景技术[0002]由于发光二极管具有节能、环保、寿命长等优点，在未来几年后，发光二极管有可能取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具进入千家万户。其中，微型发光二极管是新型的显示技术，具有高亮、低延迟、长寿命、广视角、高对比度的优势，是目前发光二极管的发