氧化物半导体及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102832235A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102832235A(43)申请公布日2012.12.19(21)申请号201210342862.3(22)申请日2012.09.14(71)申请人华南理工大学地址510640广东省广州市天河区五山路381号申请人广州新视界光电科技有限公司(72)发明人兰林锋肖鹏彭俊彪(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人王宝筠(51)Int.Cl.H01L29/24(2006.01)H01L29/10(2006.01)H01L29/786(2006.01)H01L21/203(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书77页页附图附图11页(54)发明名称氧化物半导体及其制造方法(57)摘要本发明实施例公开了一类可抑制过剩的本征载流子，且电学稳定性高氧化物半导体。本发明实施例的包括：AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物；所述微量掺杂物包括：稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一种或两种以上的组合。CN102835ACN102832235A权利要求书1/1页1.一种氧化物半导体，其特征在于，包括：AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物；所述x，y和z表示AlxInyZnz氧化物中铝（Al），铟（In）和锌（Zn）的原子比；其中，0.01≤x≤0.2，0.3≤y≤0.7，0.3≤z≤0.7，并且x+y+z=1；所述微量掺杂物包括：稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一种或两种以上的组合。2.根据权利要求1所述氧化物半导体，其特征在于，所述的稀土元素为镧（La）、铯（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钷（Pm）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、铽（Tb）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）、镱（Yb）、镥（Lu）、钪（Sc）和钇（Y）中的一种；所述的4B族元素为钛（Ti）、锆（Zr）和铪（Hf）中的一种；所述的5B族元素为钒（V）和铌（Nb）中的一种。3.根据权利要求1或2所述氧化物半导体，其特征在于，所述微量掺杂物的量在0.01wt.%至5wt.%范围内。4.一种氧化物半导体的制造方法，其特征在于，包括：将微量掺杂物，氧化铝，氧化铟以及氧化锌四种原料分别制造成四个靶材，并安装在四个不同靶位上同时溅射，通过调节不同靶位的溅射功率控制所述四种原料的比例，以达到AlxInyZnz氧化物的目标原子比，及AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物的目标比例；或，将氧化铝，氧化铟以及氧化锌三种原料按所述目标原子比制造成氧化物靶材，将所述氧化物靶材与微量掺杂物靶材安装在两个不同靶位上同时溅射，通过调节不同靶位的溅射功率控制所述AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物的目标比例；或，将氧化铝，氧化铟以及氧化锌三种原料中的任意两种按所述目标原子制造成第一靶材，剩余的一种原料制造成第二靶材；将第一靶材，第二靶材和微量掺杂物靶材安装在三个不同靶位上同时溅射，通过调节不同靶位的溅射功率控制所述AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物的目标比例；或，将微量掺杂物，氧化铝，氧化铟以及氧化锌四种原料按AlxInyZnz氧化物的目标原子比及AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物的目标比例制成靶材，通过溅射的方式制造成膜；所述x，y和z表示AlxInyZnz氧化物中Al，In和Zn的原子比；所述目标原子比为0.01≤x≤0.2，0.3≤y≤0.7，0.3≤z≤0.7，并且x+y+z=1；所述微量掺杂物包括：稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一种或两种以上的组合。5.根据权利要求4所述氧化物半导体，其特征在于，所述的稀土元素为La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc和Y中的一种；所述的4B族元素为Ti、Zr和Hf中的一种；所述的5B族元素为V和Nb中的一种。6.根据权利要求4或5所述氧化物半导体，其特征在于，所述微量掺杂物的量在0.01wt.%至5wt.%范围内。2CN102832235A说明书1/7页氧化物半导体及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一类氧化物半导体及其制造方法。背景技术[0002]作为具有广泛应用前景的新型显示——有机发光二极管（OLED，OrganicLight-EmittingDiode），近年来已经开始有中小尺寸的产品进入市场，但大尺寸电视产品还没有产业化，大尺寸OLED须采用有源矩阵有机发光二极管面板（AMOLED，Activ