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氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法.pdf

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本申请实施例公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法,其中,氧化物半导体薄膜晶体管包括栅极绝缘层和有源层。有源层设置于所述栅极绝缘层的一面,包括层叠设置的高氧层和低氧层,所述高氧层中氧元素的占比比所述低氧层中氧元素的占比多10%,所述高氧层包括设置于所述栅极绝缘层的上的第一高氧层,所述低氧层与第一高氧层背离所述栅极绝缘层的一面贴合。本申请实施例中通过在有源层中高氧层进行补氧,以替代现有技术中专门设置的补氧功能层,解决了补氧功能层制备困难的问题,还简化了工艺步骤,节省了能耗。同时高氧层与栅极绝缘层的贴合还形成了两层补氧层,提高了对低氧层的补氧效率。