LED外延片沉积方法和LED外延片沉积设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103088416A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103088416103088416A(43)申请公布日2013.05.08(21)申请号201210592958.5(22)申请日2012.12.29(71)申请人光达光电设备科技（嘉兴）有限公司地址314300浙江省嘉兴市海盐县盐北路211号科创园西区1号楼3楼(72)发明人林翔梁秉文(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人郑玮(51)Int.Cl.C30B25/16(2006.01)C30B29/38(2006.01)H01L33/00(2010.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书6页说明书6页附图2页附图2页(54)发明名称LED外延片沉积方法和LED外延片沉积设备(57)摘要本发明涉及一种LED外延片沉积方法及用于实施该方法的LED外延片沉积设备。所述LED外延片包括衬底、N型氮化III族材料层、氮化III族材料量子阱层和P型氮化III族材料层；所述LED外延片沉积方法包括：提供一反应腔，衬底被放置到反应腔中；在所述反应腔中加热所述衬底；向所述反应腔中通入包含氮气的反应腔环境气体；向所述反应腔中通入氮源气体和III族源；所述氮源气体和所述III族源在所述反应腔环境气体环境中反应并在所述衬底上沉积形成所述N型氮化III族材料层、所述氮化III族材料量子阱层和所述P型氮化III族材料层。本发明的LED外延片沉积方法能够提高LED外延片的沉积速率。CN103088416ACN103846ACN103088416A权利要求书1/1页1.一种LED外延片沉积方法，所述LED外延片包括衬底、N型氮化III族材料层、氮化III族材料量子阱层和P型氮化III族材料层；所述LED外延片沉积方法包括：提供一反应腔，衬底被放置到反应腔中；在所述反应腔中加热所述衬底；向所述反应腔中通入包含氮气的反应腔环境气体；向所述反应腔中通入氮源气体和III族源；所述氮源气体和所述III族源在所述反应腔环境气体环境中反应并在所述衬底上沉积形成所述N型氮化III族材料层、所述氮化III族材料量子阱层和所述P型氮化III族材料层。2.根据权利要求1所述的LED外延片沉积方法，其特征在于：沉积所述N型氮化III族材料层或所述P型氮化III族材料层的过程中，所述反应腔环境气体为氢气和氮气的混合气体。3.根据权利要求1所述的LED外延片沉积方法，其特征在于：所述通入氮气和氢气的流量比例大于等于1∶9。4.根据权利要求1所述的LED外延片沉积方法，其特征在于：所述氮化III族材料量子阱层为含铟(In)的氮化III族材料量子阱层，在沉积形成所述氮化III族材料量子阱层的过程中，所述反应腔环境气体为氮气。5.根据权利要求4所述的LED外延片沉积方法，其特征在于：沉积所述N型氮化III族材料层或所述P型氮化III族材料层的过程中，所述反应腔环境气体为氮气。6.根据权利要求1所述的LED外延片沉积方法，其特征在于：所述反应腔环境气体至少作为所述氮源气体和所述III族源气体之一的载气，所述反应腔环境气体、所述氮源气体和所述III族源气体同时通入所述反应腔。7.根据权利要求2所述的LED外延片沉积方法，其特征在于：沉积所述N型氮化III族材料层或所述P型氮化III族材料层的过程中，所述反应腔环境气体作为所述氮源气体的载气，所述反应腔环境气体与所述氮源气体同时通入所述反应腔。8.根据权利要求1至7中任一项所述的LED外延片沉积方法，其特征在于：所述N型氮化III族材料层为N型氮化镓材料层，所述P型氮化III族材料层为P型氮化镓材料层；沉积所述N型氮化III族材料层或所述P型氮化III族材料层的过程中，所述III族源为镓源。9.根据权利要求8所述的LED外延片沉积方法，其特征在于：所述氮化III族材料量子阱层为InGaN/GaN、InAlGaN/GaN、InGaN/AlGaN或InAlGaN/AlGaN量子阱层；沉积所述氮化III族材料量子阱层的过程中，所述III族源气体为镓源、铟源和氮源气体的混合气体、铝源和氮源的混合气体或铟源、铝源和氮源气体的混合气体。10.一种LED外延片沉积设备，其包括反应腔和气体源；其特征在于：所述气体源包括与所述反应腔连接的氮源气体源、III族源和反应腔环境气体源，所述反应腔环境气体源与反应腔连接，所述反应腔环境气体源用于向所述反应腔通入包含氮气的反应腔环境气体；所述氮源气体源和所述III族源分别向所述反应腔通入氮源气体和III族源，所述氮源气体和III族源在反应腔环境气体环境中反应并沉积形成所述LED外延片的N型氮化III族材料层、氮化III族材料量子阱层和P型氮化III族材料层。11