碳包覆Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体纳米片及其制备方法.pdf
又珊****ck
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碳包覆Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体纳米片及其制备方法,涉及拓扑绝缘体和热电材料及其制备方法。本发明是要解决现有Ⅴ-Ⅵ族化合物拓扑绝缘体的制备方法复杂,无法制备块体材料,表面不稳定,表面不对称性,表面粗糙度高,以及作为热电材料电导率和Seebeck系数不能同时提高的问题。本发明的碳包覆Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体纳米片由纳米片状基体和包覆在其表面的碳层组成。本发明通过一步水热法制备无定型碳包覆Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体纳米片;本发明通过两步水热法制备石墨烯包覆Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体纳米片。本发明制备的纳米片表面稳定、对称、粗糙度低
无定形碳包覆过渡金属硫族化合物纳米片及其制备方法.pdf
本发明提供了一种无定形碳包覆过渡金属硫族化合物纳米片及其制备方法,该方法主要包括以下步骤:将二维层状过渡金属硫族化合物加入到树脂中,并在水浴中通过搅拌混合;通过三辊差速研磨机进行剥离,循环剥离多次后,从出料辊收集得;通过酒精溶解去除部分树脂,加入酒精,通过搅拌及超声辅助,放入离心管进行离心并去除杂液;将酒精清洗后得到的物质,置于冷冻干燥机内,得到片状结构的物质;在氩气气氛下进行热处理,得到无定形碳包覆过渡金属硫族化合物纳米片。相较于现有技术,本发明制备的材料具有结构可调控、导电性好、性能优异、稳定性好等特
碳包覆纳米锡球的制备方法及其产品和应用.pdf
本发明公开了一种碳包覆纳米锡球的制备方法及其产品和应用。先制备油酸锡混合液,然后将制备的油酸锡混合液加入到晶体模板中,充分搅拌与分散,油酸锡将有效覆盖在晶体模板的表面;将油酸锡/晶体模板的混合物转移到管式炉中,在保护气体的气氛下于煅烧处理,得固体粉末,将所得的固体粉末洗涤干燥最终得到碳/锡纳米复合材料。本发明方法一步直接加热实现了纳米晶/碳合材料的制备,所得到的锡球纳米晶尺寸较小,碳包覆完全,步骤简单,工艺简单,易于控制。所得产品有利于缩短锂离子传输的路径,能抑制锡在充放电过程中的体积膨胀,还能避免锡在嵌
一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法.pdf
本发明公开了一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法,属于纳米材料制备技术领域。该方法包括:将镁粉、纳米氧化硅以及无机盐按照一定比例混合后采用干压成型工艺压制成片状,然后将片状材料于二氧化碳氛围下在管式炉中高温煅烧,煅烧完成后分别在盐酸溶液和氢氟酸溶液中进行一次酸洗和二次酸洗,离心清洗至中性,最后真空干燥得到碳纳米片包覆纳米硅复合材料。本发明提供的原位制备方法操作简单,条件温和,在相对较低的温度下利用简单设备实现了碳纳米片包覆纳米硅复合材料的制备,安全环保,有效降低了碳改性纳米硅复合材料的制备成本。
一种碳包覆钼酸铋纳米片负极材料的制备方法.pdf
本发明公开了一种碳包覆钼酸铋纳米片负极材料的制备方法,将适量钼酸钠溶于去离子水中,搅拌至充分溶解,形成钼酸钠水溶液;将适量十六烷基三甲基溴化铵加入,按照化学计量比加入硝酸铋,电磁搅拌至充分溶解;所得液体放置于高压反应釜中,进行水热反应,所得沉淀物经过离心,洗涤,然后过夜干燥得到钼酸铋纳米片将钼酸铋纳米片与沥青研磨混合,置于管式炉中,氩气保护气氛下煅烧,得到碳包覆钼酸铋纳米片负极材料。此材料的纳米片层状结构为锂离子的存储提供了更多的位置,同时缩短离子扩散距离,使电池在循环过程中的大容量变化得到缓冲,从而得到