无定形碳包覆过渡金属硫族化合物纳米片及其制备方法.pdf
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碳包覆Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体纳米片及其制备方法,涉及拓扑绝缘体和热电材料及其制备方法。本发明是要解决现有Ⅴ-Ⅵ族化合物拓扑绝缘体的制备方法复杂,无法制备块体材料,表面不稳定,表面不对称性,表面粗糙度高,以及作为热电材料电导率和Seebeck系数不能同时提高的问题。本发明的碳包覆Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体纳米片由纳米片状基体和包覆在其表面的碳层组成。本发明通过一步水热法制备无定型碳包覆Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体纳米片;本发明通过两步水热法制备石墨烯包覆Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体纳米片。本发明制备的纳米片表面稳定、对称、粗糙度低
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