用于软膜覆晶封装的聚酰亚胺薄膜及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103254431A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103254431103254431A(43)申请公布日2013.08.21(21)申请号201310144111.5(22)申请日2013.04.23(71)申请人广东丹邦科技有限公司地址523808广东省东莞市松山湖科技产业园区北部工业城C区(72)发明人刘萍(74)专利代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司44223代理人江耀纯(51)Int.Cl.C08G73/10(2006.01)C08L79/08(2006.01)C08J5/18(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书5页说明书5页(54)发明名称用于软膜覆晶封装的聚酰亚胺薄膜及其制造方法(57)摘要本发明公开了用于软膜覆晶封装的聚酰亚胺薄膜及其制造方法，该聚酰亚胺的制造方法包括如下步骤：将芳香族四羧酸二酐化合物、芳香族二胺化合物、脱水剂和催化剂进行混合；其中，芳香族二胺化合物的摩尔量小于或等于芳香族四羧酸二酐化合物的摩尔量；脱水剂采用苯甲酸酐、醋酸酐、丙酸酐和丁酸酐中的至少一者；将甲基吡啶、二甲基吡啶和甲乙基吡啶的混合物升华后并进行研磨得到所述催化剂。CN103254431ACN103254ACN103254431A权利要求书1/1页1.一种聚酰亚胺的制造方法，其特征是，包括如下步骤：将芳香族四羧酸二酐化合物、芳香族二胺化合物、脱水剂和催化剂进行混合；其中，芳香族二胺化合物的摩尔量小于或等于芳香族四羧酸二酐化合物的摩尔量；脱水剂采用苯甲酸酐、醋酸酐、丙酸酐和丁酸酐中的至少一者；将甲基吡啶、二甲基吡啶和甲乙基吡啶的混合物升华后并进行研磨得到所述催化剂。2.如权利要求1所述的聚酰亚胺的制造方法，其特征是：所述芳香族四羧酸二酐化合物是四羧酸二酐，所述芳香族二胺化合物是二氨基二苯醚，其中，四羧酸二酐：二氨基二苯醚：脱水剂：催化剂=1:0.95:0.1:0.2（摩尔量比）。3.如权利要求1所述的聚酰亚胺的制造方法，其特征是：所述芳香族四羧酸二酐化合物是均苯四甲酸二酐，所述芳香族二胺化合物是3,4-二氨基二苯醚和对苯二胺，其中，均苯四甲酸二酐：3,4-二氨基二苯醚：对苯二胺：脱水剂：催化剂=1:0.5:0.5:0.2:0.3（摩尔量比）。4.如权利要求1所述的聚酰亚胺的制造方法，其特征是：所述芳香族四羧酸二酐化合物是二苯酮四酸二酐和联苯二酐，所述芳香族二胺化合物是4，4’-二氨基二苯醚，其中，二苯酮四酸二酐：联苯二酐：4，4’-二氨基二苯醚：脱水剂：催化剂=0.7:0.3:1:0.3:0.4（摩尔量比）。5.如权利要求2-4任一所述的聚酰亚胺的制造方法，其特征是，还包括如下步骤：将芳香族四羧酸二酐化合物、芳香族二胺化合物、脱水剂和催化剂进行混合后得到的树脂混合物从模具狭缝口挤出流延到钢带上，在200℃下，按照3m/分的速度制作凝胶聚酰亚胺薄膜，将得到的凝胶聚酰亚胺薄膜在300℃下进行干燥拉伸处理。6.如权利要求1所述的聚酰亚胺的制造方法，其特征是：先将所述芳香族四羧酸二酐化合物和芳香族二胺化合物进行搅拌后，加入所述催化剂，在150℃-250℃下，进行5-10分钟的热亚胺化处理；然后，加入所述脱水剂，在250℃-350℃下，进行5-20分钟的热亚胺化处理。7.如权利要求1所述的聚酰亚胺的制造方法，其特征是：所述芳香族四羧酸二酐化合物和芳香族二胺化合物采用N，N-二甲基乙酰胺与N-甲基-2-吡咯烷酮的混合物作为溶剂；或者芳香族四羧酸二酐化合物采用N，N-二甲基乙酰胺作为溶剂，而芳香族二胺化合物采用N-甲基-2-吡咯烷酮作为溶剂。8.如权利要求1所述的聚酰亚胺的制造方法，其特征是：所述催化剂的摩尔量为0.2-0.6。9.如权利要求1所述的聚酰亚胺的制造方法，其特征是：研磨苯甲酸酐、醋酸酐、丙酸酐和丁酸酐的混合物形成所述脱水剂。10.一种用于软膜覆晶封装的聚酰亚胺薄膜，其特征是，采用如权利要求1-8任一所述的聚酰亚胺的制造方法得到。2CN103254431A说明书1/5页用于软膜覆晶封装的聚酰亚胺薄膜及其制造方法【技术领域】[0001]本发明涉及聚酰亚胺，具体涉及一种聚酰亚胺的制造方法以及用于软膜覆晶封装的聚酰亚胺薄膜。【背景技术】[0002]随着电子产品轻量化、小型化和高密度化，封装技术领域高密度安装技术日益提高，特别是在柔性封装技术、COF封装和多芯片柔性封装方面，对高性能高稳定聚酰亚胺薄膜技术要求越来越高，需求越来越大。柔性COF封装基板具有高绝缘强度和高体积电阻率，其是聚酰亚胺薄膜上形成超微铜箔构成的两面或多层电路结构，采用单芯片或多芯片形成软膜覆晶产品。[0003]为了满足多叠层芯片产品高耐热性、弯曲性、电可靠性的要求，有人提出了在聚