用于石墨化的聚酰亚胺膜、石墨膜及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106867255A(43)申请公布日2017.06.20(21)申请号201611032695.7(22)申请日2016.11.17(71)申请人达迈科技股份有限公司地址中国台湾新竹县新埔镇文德路三段127号(72)发明人吴家浩赖昱辰(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人任岩(51)Int.Cl.C08L79/08(2006.01)C08G73/10(2006.01)C08J5/18(2006.01)C08J9/10(2006.01)C01B32/205(2017.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称用于石墨化的聚酰亚胺膜、石墨膜及其制造方法(57)摘要本发明提供一种用于石墨化的聚酰亚胺膜、石墨膜及其制造方法，该聚酰亚胺膜包括有一聚酰亚胺聚合物，其由二胺化合物及二酐化合物反应而成；以及一发泡剂，其添加于该聚酰亚胺聚合物内。该石墨膜包括有一石墨层结构；及位于该石墨层结构的异于碳元素的其他元素。该石墨膜的制造方法，其包括有提供一聚酰胺酸溶液，其由二胺化合物及二酐化合物混合而成；添加一发泡剂于该聚酰亚胺酸溶液内，以制成聚酰亚胺膜；将该聚酰亚胺膜进行一碳化热处理工艺，以形成一碳质膜；以及将该碳质膜进行一石墨化热处理工艺，以形成一石墨膜。CN106867255ACN106867255A权利要求书1/1页1.一种用于石墨化的聚酰亚胺膜，包括有：一聚酰亚胺聚合物，其由二胺化合物及二酐化合物反应而成；以及一发泡剂，其添加于该聚酰亚胺聚合物内。2.如权利要求1所述的用于石墨化的聚酰亚胺膜，其中，该聚酰亚胺层由选自4，4′-二胺基二苯醚(4，4′-ODA)、对苯二胺(p-PDA)、2，2’-双(三氟甲基)联苯胺(TFMB)所成群组的二胺及选自由均苯四甲酸二酐(PMDA)、3，3′，4，4′-联苯四羧酸二酐(BPDA)、2，2-双[4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐(BPADA)所成群组的二酐反应而得。3.如权利要求1所述的用于石墨化的聚酰亚胺膜，其中，该发泡剂为硼化合物或氮化合物。4.如权利要求3所述的用于石墨化的聚酰亚胺膜，其中，该硼化物为氮化硼，其占该聚酰亚胺膜总重量的0.02-0.40wt％。5.如权利要求1所述的用于石墨化的聚酰亚胺膜，其中，该发泡剂为异于碳元素的其他元素。6.一种石墨膜的制造方法，其包括有：提供一聚酰胺酸溶液，其由二胺化合物及二酐化合物混合而成；添加一发泡剂于该聚酰亚胺酸溶液内，以制成一聚酰亚胺膜；将该聚酰亚胺膜进行一碳化热处理工艺，以形成一碳质膜；以及将该碳质膜进行一石墨化热处理工艺，以形成一石墨膜。7.如权利要求6所述的石墨膜的制造方法，其中，该聚酰亚胺层由选自4，4′-二胺基二苯醚(4，4′-ODA)、对苯二胺(p-PDA)、2，2’-双(三氟甲基)联苯胺(TFMB)所成群组的二胺及选自由均苯四甲酸二酐(PMDA)、3，3′，4，4′-联苯四羧酸二酐(BPDA)、2，2-双[4-(3，4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐(BPADA)所成群组的二酐反应而得。8.如权利要求6所述的石墨膜的制造方法，其中，该发泡剂为硼化物。9.如权利要求8所述的石墨膜的制造方法，其中，该硼化物为氮化硼，其占该聚酰亚胺膜总重量的0.02-0.40wt％。10.如权利要求6所述的石墨膜的制造方法，其中，该碳化热处理温度介于800-1500℃。11.如权利要求6所述的石墨膜的制造方法，其中，该石墨化热处理温度介于2300-3000℃。12.一种石墨膜，其包括有：一石墨层结构；及异于碳元素的其他元素位于该石墨层结构内。13.如权利要求12所述的石墨膜，其中，该异于碳元素的其他元素为硼元素或氮元素。2CN106867255A说明书1/4页用于石墨化的聚酰亚胺膜、石墨膜及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种用于石墨化的聚酰亚胺膜、石墨膜及其制造方法，特别涉及一种于聚酰亚胺膜制造过程中添加发泡剂，使该聚酰亚胺膜在石墨化过程中可提高其发泡厚度，而可以固定石墨化参数方式达到制造不同石墨膜厚度的选择。背景技术[0002]行动装置的快速成长使得轻薄化成为电子产品的趋势，而电子元件为了缩减体积而让元件做紧密的堆积，因此芯片、背光模块及电池等的散热问题成为重要的议题。在导热、散热效能要求逐渐严峻时，人造软性石墨膜的问市让这些问题得以有了解决方案，人造石墨膜具有良好的传导性、柔软性及优于铜四倍的热传导效率让石墨膜在行动装置上被大量地使用。[0003]高导热石墨膜在制造上将聚酰亚胺膜经过一串的高温裂解反应与原子重新排列过程而产生纯碳元素，而这些高温处理过程被称为碳化与石墨化。碳化过程得主要功能为热烈解非碳元素，处理温度约在800-