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氮化镓层的制造方法及该方法中使用的晶种基板.pdf
2023-06-14
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小凌****甜蜜
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使用晶种基板、通过助熔剂法制造氮化镓层。晶种基板(8A)具备：支撑基板(1)、互相分离的多个晶种层(4A)、设置于晶种层(4A)与支撑基板之间的低温缓冲层(2)以及露出于邻接的晶种层(4A)的间隙的露出层(3)，所述多个晶种层由氮化镓单晶构成，所述低温缓冲层由第13族金属氮化物构成，所述露出层由氮化锅单晶或氮化铝镓单晶构成。在晶种层上通过助熔剂法培养氮化镓层。
2023-06-14
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本发明提供一种能廉价且高效率地制造与使用有机金属气相生长法的情况同等以上的高品质的氮化镓模板基板的氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板。氮化镓模板基板（10）的制造方法是在作为衬底基板（11）的蓝宝石基板上，通过氢化物气相生长法至少依次生长包含氮化铝（AlN）的成核层（12）和包含氮化镓（GaN）的缓冲层（13），且在生长成核层（12）时使V族原料与III族原料的摩尔比（V/III比）为0.5以上3以下。
2023-06-14
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n型氮化镓基板的制造方法.pdf
本发明属于制造方法，具体涉及一种n型氮化镓基板的制造方法。一种n型氮化镓基板的制造方法，包括：在氮化镓的气相生长中,原料镓和原料氮以外,导入氧元素或氮的氧化物材料。本发明的显著效果是：在本发明中,在用HVPE法制造GaN时,选择将含有镓原料、氮原料、氧元素的原料气体同时通入反应炉的方式,可以抑制n型GaN的施主浓度。极大减小生长完成后的n型GaN的界面态密度。但将该成品用于制造GaN电力转换用晶体三极管时,可以减小频率的分散,提高最大临界击穿电压。
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晶种基板（10）具备支撑基板（1）及设置在支撑基板（1）上的晶种膜（3A），所述晶种膜（3A）由第13族金属氮化物单晶构成。晶种膜（3A）具有主体部（3a）和具有小于主体部（3a）的膜厚的薄壁部（3b）。主体部（3a）及薄壁部（3b）露出于晶种基板（10）的表面。在晶种膜（3A）上通过助熔剂法培养第13族金属氮化物（15）。
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本发明涉及镓的制造方法、钠的制造方法、氮化镓的制造方法。本发明提供一种能循环再利用Na和Ga的、使用Na助熔剂法的氮化镓的制造方法。从在使用Na助熔剂法来育成GaN结晶结束后残留的Na‑Ga合金中分离并回收Ga。在容器中放入Na‑Ga合金和HTf
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