第13族金属氮化物的制造方法及用于该方法的晶种基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103534391103534391A(43)申请公布日2014.01.22(21)申请号201280013555.9(51)Int.Cl.(22)申请日2012.03.16C30B29/38(2006.01)C30B9/00(2006.01)(30)优先权数据2011-0613322011.03.18JP(85)PCT国际申请进入国家阶段日2013.09.16(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2012/0576682012.03.16(87)PCT国际申请的公布数据WO2012/128378JA2012.09.27(71)申请人日本碍子株式会社地址日本爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号(72)发明人岩井真下平孝直东原周平平尾崇行坂井正宏今井克宏(74)专利代理机构上海市华诚律师事务所31210代理人李晓权权利要求书1页利要求书1页说明书8页说明书8页附图9页附图9页(54)发明名称第13族金属氮化物的制造方法及用于该方法的晶种基板(57)摘要晶种基板（10）具备支撑基板（1）及设置在支撑基板（1）上的晶种膜（3A），所述晶种膜（3A）由第13族金属氮化物单晶构成。晶种膜（3A）具有主体部（3a）和具有小于主体部（3a）的膜厚的薄壁部（3b）。主体部（3a）及薄壁部（3b）露出于晶种基板（10）的表面。在晶种膜（3A）上通过助熔剂法培养第13族金属氮化物（15）。CN103534391ACN103549ACN103534391A权利要求书1/1页1.一种第13族金属氮化物的制造方法，是使用晶种基板通过助熔剂法制造第13族金属氮化物的方法，其特征在于，所述晶种基板具备支撑基板及设置在该支撑基板上的晶种膜，所述晶种膜由第13族金属氮化物单晶构成，所述晶种膜具有主体部和具有小于所述主体部的膜厚的薄壁部，所述主体部及所述薄壁部露出于所述晶种基板的表面，在所述晶种膜上通过助熔剂法培养所述第13族金属氮化物。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶种膜的表面中，在所述薄壁部上形成有凹部，所述主体部与所述薄壁部之间形成有高低差。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述薄壁部的厚度在1.5μm以下。4.根据权利要求1～3的任意一项所述的方法，其特征在于，所述晶种基板具备有设置在所述晶种膜与所述支撑基板之间的低温缓冲层，所述低温缓冲层由第13族金属氮化物构成。5.根据权利要求1～4的任意一项所述的方法，其特征在于，所述薄壁部上吸附有氯及氟。6.根据权利要求1～5的任意一项所述的方法，其特征在于，通过所述助熔剂法培养的所述第13族金属氮化物是氮化镓。7.一种晶种基板，用于通过助熔剂法培养第13族金属氮化物，其特征在于，所述晶种基板具备支撑基板及设置在该支撑基板上的晶种膜，所述晶种膜由第13族金属氮化物单晶构成，所述晶种膜具有主体部和具有小于所述主体部的膜厚的薄壁部，所述主体部及所述薄壁部露出于所述晶种基板的表面。8.根据权利要求7所述的晶种基板，其特征在于，所述晶种膜的表面中，所述薄壁部上形成有凹部，所述主体部与所述薄壁部之间形成有高低差。9.根据权利要求7或8所述的晶种基板，其特征在于，所述薄壁部的厚度在1.5μm以下。10.根据权利要求7～9的任意一项所述的晶种基板，其特征在于，所述晶种基板具备有设置在所述晶种膜与所述支撑基板之间的低温缓冲层，所述低温缓冲层由第13族金属氮化物构成。11.根据权利要求7～10的任意一项所述的晶种基板，其特征在于，所述薄壁部上吸附有氯及氟。2CN103534391A说明书1/8页第13族金属氮化物的制造方法及用于该方法的晶种基板技术领域[0001]本发明涉及第13族金属氮化物的制造方法及用于该方法的晶种基板。背景技术[0002]氮化镓（GaN）薄层结晶作为优异的蓝色发光元件而备受瞩目，在发光二极管中被实用化，也被期待作为光拾波器用的蓝紫色半导体激光元件。近年来，作为用于手机等的构成高速IC芯片等电子设备的半导体层也受到瞩目。[0003]有报告提出，令GaN或AlN的晶种层沉积在蓝宝石等的单晶基板上，得到模板基板，在模板基板上培养氮化镓单晶的方法。但是，在基板上用MOCVD法令氮化镓（GaN）晶种层气相生长、在其上通过助熔剂法令氮化镓单晶生长时，由于热膨胀差的原因，培养的单晶厚层会产生裂纹。因此，作为防止裂纹的对策，通过令培养的单晶从基板自然剥离，降低施加于单晶的应力，防止裂纹的技术受到瞩目。[0004]WO2011/001830A1、WO2011/004904A1中，在由蓝宝石等构成的支撑基板的表面形成由氮化镓单晶构成的晶种膜后，将晶种膜蚀刻，露出部分的支撑基板表面，将晶种膜图形化，