铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜、制备方法及其应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103571476103571476A(43)申请公布日2014.02.12(21)申请号201210268340.3(22)申请日2012.07.31(71)申请人海洋王照明科技股份有限公司地址518000广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层申请人深圳市海洋王照明技术有限公司(72)发明人周明杰王平陈吉星钟铁涛(74)专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202代理人郝传鑫熊永强(51)Int.Cl.C09K11/68(2006.01)H01L33/26(2010.01)H01L33/00(2010.01)C23C16/40(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书7页说明书7页附图2页附图2页(54)发明名称铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜、制备方法及其应用(57)摘要一种铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜，其化学3+式为Re2(MoO4)3:xCe，其中，0.01≤x≤0.05，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子，Re2(MoO4)3是基质，铈元素是激活元素。该铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在620nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜的制备方法及其应用。CN103571476ACN1035746ACN103571476A权利要求书1/2页3+1.一种铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜，其特征在于，其化学式为Re2(MoO4)3:xCe，其中，0.01≤x≤0.05，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子，Re2(MoO4)3是基质，铈元素是激活元素。2.根据权利要求1所述的铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜，其特征在于，所述铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜的厚度为80nm~300nm。3.一种铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa~1.0×10-3Pa；调节衬底的温度为250℃~650℃，转速为50转/分钟~1000转/分钟，采用氩气气流3+的载体，根据Re2(MoO4)3:xCe各元素的化学计量比将四甲基庚二酸三族金属盐、羰基钼和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈通入反应室内；及3+通入氧气，进行化学气相沉积得到化学式为Re2(MoO4)3:xCe的铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜，其中，0.01≤x≤0.05，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子。4.根据权利要求3所述的铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述四甲基庚二酸三族金属盐、六羰基钼和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈摩尔比为（1.95~1.99）：3：（0.01~0.05）。5.根据权利要求3所述的铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气气流量为5~15sccm，所述氧气气流量为10~200sccm。6.根据权利要求3所述的铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，将所述衬底装入所述反应室后将所述衬底在600℃~800℃下热处理10分钟~30分钟。7.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜，该铈掺杂三3+族钼酸盐的发光薄膜的化学式为Re2(MoO4)3:xCe，0.01≤x≤0.05，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子。8.根据权利要求7所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的厚度为80nm~300nm。9.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有阳极的衬底；在所述阳极上形成发光层，所述发光层的薄膜为铈掺杂三族钼酸盐的发光薄膜，该铈3+掺杂三族钼酸盐的发光薄膜的化学式为Re2(MoO4)3:xCe，其中，0.01≤x≤0.05，Re为铝离子，镓离子，铟离子或铊离子；在所述发光层上形成阴极。10.根据权利要求9所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的制备包括以下步骤：将所述衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa~1.0×10-3Pa；调节衬底的温度为250℃~650℃，转速为50转/分钟~1000转/分钟，采用氩气气流作3+为载体，根据Re2(MoO4)3:xCe各元素的化学计量比将四甲基庚二酸三族金属盐、六羰基钼和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈通入反应室内，其中，氩气气流量为5~15sccm，2CN103571476A权利要求书2/2页然后通入氧气，氧气气流量为10~200sccm；沉积薄膜在所述阳极