铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜、制备方法及其应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104342137104342137A(43)申请公布日2015.02.11(21)申请号201310346766.0(22)申请日2013.08.09(71)申请人海洋王照明科技股份有限公司地址518000广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层申请人深圳市海洋王照明技术有限公司深圳市海洋王照明工程有限公司(72)发明人周明杰陈吉星王平张振华(74)专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202代理人郝传鑫熊永强(51)Int.Cl.C09K11/69(2006.01)H01L33/50(2010.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书7页说明书7页附图3页附图3页(54)发明名称铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜、制备方法及其应用(57)摘要一种铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜，其化学3+式为Me3VSi3O13:xCe，其中，0.01≤x≤0.05，Me3VSi3O13是基质，铈元素是激活元素，Me为Al,Ga,In或Tl。该铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在620nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光器件中。本发明还提供该铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。CN104342137ACN104327ACN104342137A权利要求书1/1页1.一种铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜，其特征在于，所述铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄3+膜的材料的化学式为Me3VSi3O13:xCe，其中，0.01≤x≤0.05，Me为Al,Ga,In或Tl。2.根据权利要求1所述的铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜，其特征在于，所述铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜的厚度为80nm～300nm。3.一种铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；将所述衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，采用氩气气3+流的载体，根据Me3VSi3O13:xCe各元素的化学计量比将四甲基庚二酮碱土盐、三乙氧基氧化钒、硅烷和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈通入反应室内；及3+通入氧气，进行化学气相沉积得到化学式为Me3VSi3O13:xCe的铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜，其中，0.01≤x≤0.05，Me为Al,Ga,In或Tl。4.根据权利要求3所述的铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜的厚度为80nm～300nm。5.根据权利要求3所述的铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气气流量为5～15sccm，所述氧气气流量为10～200sccm。6.根据权利要求3所述的铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，将所述衬底装入所述反应室后，将所述衬底在700℃热处理10分钟～30分钟。7.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜，该铈掺杂三3+族钒硅酸盐发光薄膜的化学式为Me3VSi3O13:xCe，其中，0.01≤x≤0.05，Me为Al,Ga,In或Tl。8.根据权利要求7所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述发光层的厚度为80nm～300nm。9.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有阳极的衬底；将所述衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；调节所述具有阳极的衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分3+钟，采用氩气气流作为载体，根据Me3VSi3O13:xCe各元素的化学计量比将四甲基庚二酮碱土盐、三乙氧基氧化钒、硅烷和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈通入反应室内，其中，氩气气流量为5～15sccm；然后通入氧气，氧气气流量为10～200sccm；在所述阳极上沉积薄膜得到发光层，所述发光层的薄膜为铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜，该铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜的化学式3+为Me3VSi3O13:xCe，其中，0.01≤x≤0.05，Me为Al,Ga,In或Tl；在所述发光层上制备阴极，得到所述薄膜电致发光器件。10.根据权利要求9所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的厚度为80nm～300nm。2CN104342137A说明书1/7页铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜、制备方法及其应用【技术领域】[0001]本发明涉及一种铈掺杂三族钒硅酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致