铈掺杂三族氮化硅发光薄膜、制备方法及其应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CN104650860A(43)申请公布日(43)申请公布日2015.05.27(21)申请号201310578442.X(22)申请日2013.11.18(71)申请人海洋王照明科技股份有限公司地址518000广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层申请人深圳市海洋王照明技术有限公司深圳市海洋王照明工程有限公司(72)发明人周明杰陈吉星王平钟铁涛(74)专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202代理人郝传鑫熊永强(51)Int.Cl.C09K11/64(2006.01)C09K11/62(2006.01)H01L33/50(2010.01)权利要求书2页说明书7页附图2页(54)发明名称铈掺杂三族氮化硅发光薄膜、制备方法及其应用(57)摘要一种铈掺杂三族氮化硅发光薄膜，其化学3+式为Me2Si6N10:xCe，其中，0.01≤x≤0.05，Me2Si6N10是基质，铈元素是激活元素，Me为Al，Ga，In和Tl中至少一种。该铈掺杂三族氮化硅发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在620nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该铈掺杂三族氮化硅发光薄膜的制备方法及其应用。CN104650860ACN104650860A权利要求书1/2页3+1.一种铈掺杂三族氮化硅发光薄膜，其特征在于，其化学式为Me2Si6N10:xCe，其中，0.01≤x≤0.05，Me2Si6N10是基质，铈元素是激活元素，Me为Al，Ga，In和Tl中至少一种。2.根据权利要求1所述的铈掺杂三族氮化硅发光薄膜，其特征在于，所述铈掺杂三族氮化硅发光薄膜的厚度为80nm～300nm。3.一种铈掺杂三族氮化硅发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，采用氩气气3+流的载体，根据Me2Si6N10:xCe各元素的化学计量比将(DPM)3Me、硅烷和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈通入反应室内；及3+通入氨气，进行化学气相沉积得到化学式为Me2Si6N10:xCe的铈掺杂三族氮化硅发光薄膜，其中，0.01≤x≤0.05，Me2Si6N10是基质，铈元素是激活元素，Me为Al，Ga，In和Tl中至少一种。4.根据权利要求3所述的铈掺杂三族氮化硅发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述(DPM)3Me、硅烷和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈摩尔比为2：6：（0.01～0.05）。5.根据权利要求3所述的铈掺杂三族氮化硅发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气气流量为5～15sccm。6.根据权利要求3所述的铈掺杂三族氮化硅发光薄膜的制备方法，其特征在于，将所述衬底装入所述反应室后将所述衬底在600℃～800℃下热处理10分钟～30分钟。7.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为铈掺杂三族氮化硅发光薄膜，该铈掺杂三族3+氮化硅发光薄膜的化学式为Me2Si6N10:xCe，其中，0.01≤x≤0.05，Me2Si6N10是基质，铈元素是激活元素，Me为Al，Ga，In和Tl中至少一种。8.根据权利要求7所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述发光层的厚度为80nm～300nm。9.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有阳极的衬底；在所述阳极上形成发光层，所述发光层的薄膜为铈掺杂三族氮化硅发光薄膜，该铈掺3+杂三族氮化硅发光薄膜的化学式为Me2Si6N10:xCe，其中，0.01≤x≤0.05，Me2Si6N10是基质，铈元素是激活元素，Me为Al，Ga，In和Tl中至少一种；在所述发光层上形成阴极。10.根据权利要求9所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的制备包括以下步骤：将所述衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，采用氩气气3+流作为载体，根据Me2Si6N10:xCe各元素的化学计量比将(DPM)3Me、四甲基庚二酮钇、三羰基钼、八氟戊醇和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈通入反应室内，其中，氩气气流量为5～15sccm，2CN104650860A权利要求书2/2页通入氨气，沉积薄膜在所述阳极上形成发光层。3CN104650860A说明书1/7页铈掺杂三族氮化硅