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晶体管、半导体器件及其制造方法.pdf
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本发明公开了晶体管、半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上方形成晶体管。该晶体管包括牺牲栅极材料，该牺牲栅极材料包括III-V族材料。该方法包括将金属(Me)与牺牲栅极材料的III-V族材料相结合从而形成包括Me-III-V化合物材料的栅极。本发明还提供了一种晶体管、半导体器件及其制造方法。
2023-06-14
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本发明公开一种环栅晶体管及其制造方法、半导体器件，涉及半导体技术领域，以限制栅堆叠结构的长度，且简化环栅晶体管的制造过程。该环栅晶体管包括：半导体基底、纳米结构、栅堆叠结构和栅长控制结构。至少一层纳米结构形成在半导体基底上。沿纳米结构长度方向，每层纳米结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。源区和漏区的材料包括第一金属半导体化合物。栅堆叠结构环绕在沟道区的外周。沿栅堆叠结构的长度方向，栅堆叠结构的侧壁相对于沟道区的侧壁向内凹入，形成凹口。栅长控制结构填充满凹口。栅长控制结构的材料为第二金属半导
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