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场效应晶体管、半导体器件及其制造方法.pdf
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场效应晶体管、半导体器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种场效应晶体管、半导体器件及其制造方法，涉及隧穿场效应晶体管技术领域。该晶体管包括：位于衬底上的由III-V族化合物半导体材料形成的半导体区；半导体区包括未掺杂的沟道区、具有第一掺杂类型的源区和具有第二掺杂类型的漏区；位于沟道区上的绝缘栅，绝缘栅被配置为当施加电压到绝缘栅时在源区和漏区之间产生电子隧穿；其中，源区和沟道区的接触面为倾斜面以增大电子隧穿区域。通过在源区与沟道区之间形成倾斜接触面，增加了电子隧穿面积，从而提高了器件的性能。
2023-06-14
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半导体器件及其制造方法.pdf
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构表面形成有氧化钝化层和悬挂键；采用等离子体轰击所述半导体结构表面，以去除所述氧化钝化层以及使得所述等离子体中的离子与所述悬挂键结合；形成介质层于所述半导体结构表面。本发明的技术方案能够去除半导体结构表面的氧化钝化层以及明显减少悬挂键的数量，使得能够改善半导体器件的性能。
2023-06-07
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半导体器件及其制造方法.pdf
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括在基板的第一和第二芯片区域上分别形成包括选择元件的第一和第二下结构、在第一和第二下结构上分别形成第一和第二模层、在第一和第二模层上分别形成第一和第二支撑层、图案化第一支撑层和第一模层以形成暴露第一下结构的第一孔、在第一孔中形成第一下电极、通过选择性地图案化第一支撑层而保留第二支撑层而形成包括至少一个开口的支撑图案、以及通过开口去除第一模层。支撑图案的顶表面设置在与第二支撑层的顶表面基本上相同的水平处。
2023-11-19
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半导体器件及其制造方法.pdf
化合物半导体器件实施例包括：第一下电极；第一绝缘膜，在所述第一下电极上方；第一上电极，在所述第一绝缘膜上方；第二下电极，与所述第一下电极分离；第二绝缘膜，在所述第二下电极上方；第三绝缘膜，在所述第二绝缘膜上方；以及第二上电极，在所述第三绝缘膜上方。所述第一绝缘膜的厚度与所述第三绝缘膜的厚度大致相同；所述第三绝缘膜在平面图中的轮廓位于所述第二绝缘膜在平面图中的轮廓的外部；并且所述第二上电极在平面图中的轮廓位于所述第二绝缘膜在平面图中的轮廓的内部。
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半导体器件及其制造方法.pdf
制造半导体器件的方法包括在衬底上方交替堆叠第一半导体层和第二半导体层，将第一半导体层和第二半导体层图案化为鳍结构，横跨鳍结构形成介电层，以及去除鳍结构的第一半导体层，从而在鳍结构的第二半导体层之间形成间隙。该方法还包括沉积第一金属层以包裹第二半导体层，从而在介电层的相对侧壁之间形成空隙，使第一金属层凹进，在凹进的第一金属层上方形成阻挡层，从而覆盖空隙，以及在阻挡层上方沉积第二金属层。本发明的实施例还涉及半导体器件。
2023-06-07
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