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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103804880103804880A(43)申请公布日2014.05.21(21)申请号201310538256.3(22)申请日2013.11.04(30)优先权数据2012-2428242012.11.02JP(71)申请人信越化学工业株式会社地址日本东京都(72)发明人越川英纪小池则之(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人沈雪(51)Int.Cl.C08L71/00(2006.01)C08L83/08(2006.01)H01L33/56(2010.01)权权利要求书3页利要求书3页说明书45页说明书45页附图2页附图2页(54)发明名称光半导体密封用固化性组合物及使用其的光半导体装置(57)摘要本发明提供一种能够形成耐冲击性及粘接性优异的固化物的光半导体密封用固化性组合物、及光半导体元件经该光半导体密封用固化性组合物固化而成的固化物密封的光半导体装置。所述光半导体密封用固化性组合物的特征在于,其包含:(A)直链状氟代聚合物、(B)具有SiH基及含氟有机基团的含氟有机氢化硅氧烷、(C)铂族金属系催化剂、(D)具有SiH基、含氟有机基团及环氧基的环状有机硅氧烷,其固化而得到的到固化物用JISK6253-3所规定的A型硬度计测得的硬度为30~80。CN103804880ACN10384ACN103804880A权利要求书1/3页1.一种光半导体密封用固化性组合物,其包含:(A)由下述通式(2)和/或下述通式(3)表示、且乙烯基含量为0.0250~0.200mol/100g的直链状氟代聚合物:100质量份,[化学式1]式中,R4为氢原子、或者未取代或取代的一价烃基,m及n分别为1~100的整数,r为0~6的整数,[化学式2]式中,R5为碳原子数1~6的亚烷基,R6彼此独立地为氢原子或任选被氟取代的碳原子数1~4的烷基,另外,m、n及r与上述相同;(B)含氟有机氢化硅氧烷:相对于(A)成分的乙烯基1摩尔直接键合在硅原子上的氢原子为0.1~2.0摩尔的量,所述含氟有机氢化硅氧烷在一分子中具有通过任选包含氧原子或氮原子的二价烃基键合在硅原子上的一价全氟烷基或一价全氟氧烷基、或者具有通过任选包含氧原子或氮原子的二价烃基键合在硅原子上的二价全氟亚烷基或二价全氟氧基亚烷基,并且具有两个以上直接键合在硅原子上的氢原子(SiH基),且在分子中不具有其它官能性基团;(C)铂族金属系催化剂:以铂族金属原子换算为0.1~500ppm;(D)由下述通式(4)所表示的环状有机聚硅氧烷:0.10~10.0质量份,所述通式(4)所表示的环状有机聚硅氧烷在一分子中具有一个以上直接键合在硅原子上的氢原子(SiH基),并且具有通过任选包含氧原子或氮原子的二价烃基键合在硅原子上的一价全氟烷基或一价全氟氧烷基、以及通过任选包含氧原子的二价烃基键合在硅原子上的环氧基,[化学式3]式中,i为1~6的整数,j为1~4的整数,k为1~4的整数,i+j+k为4~10的整数,R7为取代或未取代的一价烃基,D为通过任选包含氧原子或氮原子的二价烃基键合在硅2CN103804880A权利要求书2/3页原子上的一价全氟烷基或一价全氟氧烷基,E为通过任选包含氧原子的二价烃基键合在硅原子上的环氧基,其中,所述光半导体密封用固化性组合物固化而得到的固化物用JISK6253-3规定的A型硬度计测得的硬度值为30-80。2.根据权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物,其还包含:作为(E)成分的由下述通式(5)所表示的环状有机聚硅氧烷:0.010~10.0质量份,所述通式(5)所表示的环状有机聚硅氧烷在一个分子中具有一个以上直接键合在硅原子上的氢原子(SiH基),并且具有通过任选包含氧原子或氮原子的二价烃基键合在硅原子上的一价全氟烷基或一价全氟氧烷基、以及通过二价烃基键合在硅原子上的环状羧酸酐残基,[化学式4]式中,x为1~6的整数,y为1~4的整数,z为1~4的整数,x+y+z为4~10的整数,R8为取代或未取代的一价烃基,S为通过任选包含氧原子或氮原子的二价烃基键合在硅原子上的一价全氟烷基或一价全氟氧烷基,T为通过二价烃基键合在硅原子上的环状羧酸酐残基。3.根据权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物,其中,所述(B)成分、(D)成分各自所具有的一价全氟烷基或一价全氟氧烷基分别由下述通式(6)或通式(7)表示,CfF2f+1-(6)式中,f为1~10的整数,[化学式5]式中,g为1~10的整数。4.根据权利要求2所述的光半导体密封用固化性组合物,其中,所述(B)成分、(D)成分、(E)成分各自所具有的一价全氟烷基或一价全氟氧烷基分别由下述通式(6)或通式(7)表示,CfF