形成含有硅的EUV抗蚀剂下层膜的组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103827752103827752A(43)申请公布日2014.05.28(21)申请号201280045182.3(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所(22)申请日2012.10.0211247代理人段承恩田欣(30)优先权数据(51)Int.Cl.2011-2221202011.10.06JPG03F7/11(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/027(2006.01)2014.03.17(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2012/0755072012.10.02(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/051558JA2013.04.11(71)申请人日产化学工业株式会社地址日本东京都(72)发明人志垣修平谷口博昭坂本力丸何邦庆权利要求书2页权利要求书2页说明书22页说明书22页(54)发明名称形成含有硅的EUV抗蚀剂下层膜的组合物(57)摘要本发明的课题是提供一种EUV抗蚀剂的曝光灵敏度提高，用EUV光曝光时释气发生少的光刻用抗蚀剂下层膜和用于形成该下层膜的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷的组合，该芳基三烷氧基硅烷由下述式(1)表示：(式(1)中，R1表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R2为芳香族环的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数1～10的烷氧基，X为碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的酰氧基或卤基。)。(R2)1n2-R-(CH2)n1-si(X)3(1)CN103827752ACN1038275ACN103827752A权利要求书1/2页1.一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷的组合，该芳基三烷氧基硅烷由下述式(1)表示，21(R)n2-R-(CH2)n1-Si(X)3式(1)式(1)中，R1表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R2为芳香族环内的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数1～10的烷氧基，X为碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的酰氧基或卤基，n1为0或1的整数，在苯环的情况下，n2为1～5的整数，在萘环的情况下，n2为1～9的整数。2.根据权利要求1所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，式(1)的R1为苯环。3.根据权利要求1或2所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，式(1)的R2为甲氧基、甲氧基甲氧基、氟原子、氯原子或溴原子。4.根据权利要求1～3的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，式(1)的X为甲氧基。5.根据权利要求1～4的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，式(1)的n1为0。6.根据权利要求1～5的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，烷基三甲氧基硅烷为甲基三甲氧基硅烷。7.根据权利要求1～6的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，水解性硅烷以相对于四甲氧基硅烷70摩尔为10～35摩尔的比例包含烷基三甲氧基硅烷、为2～25摩尔的比例包含芳基三烷氧基硅烷。8.根据权利要求1～7的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述硅烷，在全部硅烷中以摩尔比计为甲氧基:乙氧基＝100:0～80:20的比例含有甲氧基和乙氧基作为水解性基团。9.根据权利要求1～8的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其还包含酸。10.根据权利要求1～9的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其还包含水。11.根据权利要求1～10的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其还包含铵化合物、环状铵化合物、环状胺化合物或化合物。12.一种抗蚀剂下层膜，其为通过将权利要求1～11的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，进行烘烤而获得的。13.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：将权利要求1～11的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，进行烘烤，形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜的工序；将所述抗蚀剂膜进行曝光的工序；在曝光后将所述抗蚀剂膜进行显影，获得抗蚀剂图案的工序；按照所述抗蚀剂图案对所述抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；和按照被图案化了的所述抗蚀剂膜和所述抗蚀剂下层膜对所述半导体基板进行加工的工序。14.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序；在该有机下层膜上涂布权利要求1～11的任一项