适用于具有异质衬底的III族氮化物器件的缓冲层结构.pdf
是雁****找我
亲,该文档总共21页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
适用于具有异质衬底的III族氮化物器件的缓冲层结构.pdf
本公开内容的实施例包括适用于具有异质衬底的III-N器件的缓冲结构。缓冲结构可以包括具有第一铝组分的第一缓冲层以及形成在第一缓冲层上的第二缓冲层,第二缓冲层具有第二铝组分。缓冲结构进一步包括在第二界面处形成在第二缓冲层上的第三缓冲层,第三缓冲层具有第三铝组分。第一铝组分在第一缓冲层中朝向界面降低且第二铝组分贯穿第二缓冲层大于界面处的第一铝组分。
III族氮化物晶体衬底、包含外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法.pdf
公开了一种III族氮化物晶体衬底(1),其特征在于,晶体衬底的表面层具有1.9×10-3或更低的均匀畸变,该均匀畸变是由X射线透入深度为0.3μm时的面间距d1和X射线透入深度为5μm时的面间距d2得到的|d1-d2|/d2的值表示的,该面间距是由改变自晶体衬底的主表面(1s)的X射线透入深度同时满足III族氮化物晶体衬底的任意特定平行晶格面的X射线衍射条件的X射线衍射测量得到的特定平行晶格面的面间距;并且主表面(1s)的面取向在方向上从晶体衬底的(0001)和(000-1)面(1c)在10°至80°的范
III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件.pdf
在半导体器件100中,通过使前表面10a具有特定的面取向,并且表面层12中存在以S换算为30×1010个/cm2至2000×1010个/cm2的硫化物及以O换算为2原子%至20原子%的氧化物,可以抑制在外延层22与III族氮化物半导体衬底10之间的界面处堆积C。因此,抑制了在外延层22与III族氮化物半导体衬底10之间的界面处形成高电阻率层。因此,可以提高半导体器件100的发光强度。
III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件.pdf
在半导体器件(100)中,通过在表面层(12)中存在以S换算为30×1010个/cm2~2000×1010个/cm2的硫化物和以O换算为2原子%~20原子%的氧化物,在外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处能够抑制C堆积。通过这样抑制C的堆积,可抑制外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处的高电阻层的形成。由此,能够降低外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面的电阻,同时能够提高外延层(22)的结晶质量。因此,能够提高半导体器件(100)的发光强度和成品率。
III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法.pdf
本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一:一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下,并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下;一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下,并且表面(3)的浊度为5ppm以下;以及一种III族氮化物衬底,其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下,并且表面(3)的浊度为5ppm以下。