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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104137226104137226A(43)申请公布日2014.11.05(21)申请号201380008005.2(51)Int.Cl.(22)申请日2013.02.01H01L21/20(2006.01)H01L21/336(2006.01)(30)优先权数据H01L29/78(2006.01)13/366,0902012.02.03USH01L33/12(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.08.04(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2013/0244702013.02.01(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/116747EN2013.08.08(71)申请人创世舫电子有限公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人斯塔西亚·凯勒布赖恩·L·斯文森尼古拉斯·费希滕鲍姆(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219代理人李兰孙志湧权权利要求书5页利要求书5页说明书10页说明书10页附图5页附图5页(54)发明名称适用于具有异质衬底的III族氮化物器件的缓冲层结构(57)摘要本公开内容的实施例包括适用于具有异质衬底的III-N器件的缓冲结构。缓冲结构可以包括具有第一铝组分的第一缓冲层以及形成在第一缓冲层上的第二缓冲层,第二缓冲层具有第二铝组分。缓冲结构进一步包括在第二界面处形成在第二缓冲层上的第三缓冲层,第三缓冲层具有第三铝组分。第一铝组分在第一缓冲层中朝向界面降低且第二铝组分贯穿第二缓冲层大于界面处的第一铝组分。CN104137226ACN1043726ACN104137226A权利要求书1/5页1.一种形成III-N层结构的方法,包括:在第一材料层上形成具有第一铝组分的第一III-N缓冲层,所述第一III-N缓冲层具有相邻于所述第一材料层的第一侧以及与所述第一侧相反的第二侧;以及在所述第一III-N缓冲层的所述第二侧上形成第二III-N缓冲层,所述第二III-N缓冲层具有第二铝组分并且大于15纳米厚;其中,所述第一铝组分贯穿所述第一III-N缓冲层是基本上恒定的或从所述第一侧向所述第二侧降低;并且贯穿所述第二III-N缓冲层的所述第二铝组分大于在所述第一III-N缓冲层的所述第二侧处的所述第一铝组分。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一材料层是衬底。3.根据权利要求2所述的方法,进一步包括去除所述衬底以暴露所述III-N层结构的表面。4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二III-N缓冲层大于100纳米厚。5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括形成第三III-N缓冲层,其中,所述第二III-N缓冲层在所述第一III-N缓冲层和所述第三III-N缓冲层之间。6.根据权利要求5所述的方法,其中,形成所述第一III-N缓冲层、所述第二III-N缓冲层或所述第三III-N缓冲层包括利用从由铁(Fe)、镁(Mg)和碳(C)构成的组选择的至少一种元素,来分别掺杂所述第一III-N缓冲层、所述第二III-N缓冲层或所述第三III-N缓冲层。7.根据权利要求5所述的方法,所述第三III-N缓冲层不含铝或具有第三铝组分,其中,所述第二铝组分贯穿所述第二III-N缓冲层是均一的,并且贯穿所述第三III-N缓冲层的所述第三铝组分低于所述第二铝组分。8.根据权利要求5所述的方法,所述第三III-N缓冲层不含铝或具有第三铝组分,其中,所述第二铝组分贯穿所述第二III-N缓冲层是不均一的,并且贯穿所述第三III-N缓冲层的所述第三铝组分低于所述第二铝组分的最低值。9.根据权利要求5所述的方法,所述第三III-N缓冲层具有相邻于所述第二III-N缓冲层的第一侧以及与所述第一侧相反的第二侧,其中,所述第三铝组分是恒定的或从所述第三III-N缓冲层的所述第一侧向所述第三III-N缓冲层的所述第二侧降低。10.根据权利要求5所述的方法,其中,所述第三铝组分贯穿所述第三III-N缓冲层为零。11.根据权利要求5所述的方法,进一步包括在所述第三III-N缓冲层上形成有源器件层,所述有源器件层包括III-N半导体材料。12.根据权利要求11所述的方法,所述III-N层结构进一步包括在所述有源器件层中的电子半导体器件的导电沟道,其中,所述导电沟道与所述第三III-N缓冲层隔开至少20纳米。13.根据权利要求12所述的方法,进一步包括形成所述电子半导体器件的电极,其中,所述电极电连接到所述导电沟道。14.根据权利要求5所述的方法,进一步包括在所述第三III-N缓冲层的一侧上形成具有第四铝组分的第四III-N缓冲层,其中,所述第三III-N缓冲层不含铝或具有第三铝组2CN104137226A权利要求