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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号CN104662097B(45)授权公告日2018.06.05(21)申请号201380050026.0B32B27/34(2006.01)(22)申请日2013.09.25C08G73/10(2006.01)C08K5/05(2006.01)(65)同一申请的已公布的文献号C09J7/30(2018.01)申请公布号CN104662097AC09J7/25(2018.01)(43)申请公布日2015.05.27C09J11/06(2006.01)(30)优先权数据C09J179/08(2006.01)2012-2106892012.09.25JPH01L21/301(2006.01)H01L21/304(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2015.03.25(56)对比文件US6096850A,2000.08.01,说明书第2栏第(86)PCT国际申请的申请数据11-27行和第5栏第57-61行、实施例2.PCT/JP2013/0758862013.09.25CN1406262A,2003.03.26,说明书(87)PCT国际申请的公布数据第2-4段、第5段.WO2014/050878JA2014.04.03US6096850A,2000.08.01,说明书第2栏第(73)专利权人东丽株式会社11-27行和第5栏第57-61行、实施例2.地址日本东京都US2011/0143103A1,2011.06.16,权利要求1-19、实施例1-6.(72)发明人渡边拓生李忠善US2006/0079658A1,2006.04.13,权利要(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所求1-11、实施例.11256审查员张德强代理人杨宏军(51)Int.Cl.C08L79/08(2006.01)权利要求书2页说明书20页(54)发明名称二酐残基及二胺残基,并且,作为所述二胺残基,树脂组合物、固化膜、层合膜及半导体器件至少具有下述通式(1)表示的聚硅氧烷类二胺的的制造方法残基及带有羟基的芳香族二胺的残基。(n为自然(57)摘要数,由聚硅氧烷类二胺的平均分子量算出的n的本发明提供一种高耐热性的树脂组合物、和平均值为5~30的范围。R1及R2可以相同或不同,使用了该树脂组合物的固化膜及层合膜,所述树各自表示碳原子数1~30的亚烷基或亚苯基。R3脂组合物于180℃以下的低温呈现良好的粘合~R6可以相同或不同,各自表示碳原子数1~30性,即使于250℃以上的高温也不因分解等而产的烷基、苯基或苯氧基。)生挥发成分,并且,即使经过热处理工序后粘合力的上升也小,因此在剥离基材时能够在室温下容易地进行剥离。一种树脂组合物和使用了该树脂组合物的固化物及层合膜,所述树脂组合物包含聚酰亚胺类树脂及羟甲基类化合物,所述树脂CN104662097B组合物的特征在于,所述聚酰亚胺类树脂具有酸CN104662097B权利要求书1/2页1.一种树脂组合物,包含聚酰亚胺类树脂及羟甲基类化合物,其特征在于,所述聚酰亚胺类树脂具有酸二酐残基及二胺残基,并且,作为所述二胺残基,至少具有下述通式(1)表示的聚硅氧烷类二胺的残基及带有羟基的芳香族二胺的残基,式中,n为自然数,由聚硅氧烷类二胺的平均分子量算出的n的平均值为5~30的范围;R1及R2可以相同或不同,各自表示碳原子数1~30的亚烷基或亚苯基;R3~R6可以相同或不同,各自表示碳原子数1~30的烷基、苯基或苯氧基,所述羟甲基类化合物为具有2个以上下述通式(6)表示的基团的化合物,式中,R47在化合物中存在复数个时,可以相同或不同,各自表示氢或碳原子数1~10的烷基,所述带有羟基的芳香族二胺为下述通式(2)~(5)中的任一个表示的芳香族二胺,式中,R7~R10中的至少1个为羟基,其余的可以相同或不同,表示选自氢原子、碳原子数1~30的烷基、碳原子数1~30的烷氧基、卤原子、羧基、磺基、硝基及氰基中的基团;11118式中,X表示直接键合或选自O、S、SO、SO2、CO、CH2、C(CH3)2及C(CF3)2中的基团,R~R中的至少1个为羟基,其余的可以相同或不同,表示选自氢原子、碳原子数1~30的烷基、碳原子数1~30的烷氧基、卤原子、羧基、磺基、硝基及氰基中的基团;22式中,X、Y可以相同或不同,各自表示直接键合或选自O、S、SO、SO2、CO、CH2、C(CH3)2及C1930(CF3)2中的基团;R~R中的至少1个为羟基,其余的可以相同或不同,表示选自氢原子、碳原子数1~30的烷基、碳原子数1~30的烷氧基、卤原子、羧基、磺基、硝基及氰基中的基团;2CN104662097B权利要求书2/2页333式中,X、Y、Z可以相同或不同,各自表示直接键