一种硅量子点白光LED及其制造方法.pdf
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一种硅量子点白光LED及其制造方法.pdf
本发明公开了一种硅量子点白光LED及其制造方法,解决了目前传统LED技术中需要消耗稀土资源,显色性偏低,稳定性差和不够环保以及二六族或三五族量子点LED光转换器重金属含量高,污染严重等问题;该硅量子点白光LED包括散热底座、金线、硅量子点及硅胶混合物、蓝光芯片、取光透镜、填充硅胶和电极,通过将黄绿光硅量子点按比例混合于硅胶中,涂在已固好晶焊好线的蓝光芯片上,待硅胶固化后,在蓝光芯片上盖上取光透镜,之后在取光透镜内填充满填充硅胶,填充硅胶固化后即得到硅量子点白光LED。
量子点及其制造方法.pdf
本发明的目的在于提供一种荧光半峰宽窄且荧光量子收率高的不含Cd的钙铁矿系的量子点。本发明的量子点是由AgIn
III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件及其制备方法.pdf
本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件,所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列,纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层,直至n型氮化物层内部,所述纳米孔阵列内填充有II-VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II-VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移,提高器件发光效率;通过改变填充量子点的种类和配比,以调节发光波长与强度,能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。
一种量子点LED发光装置及其制备方法.pdf
本发明公开一种量子点LED发光装置,包括装置本体,还包括:依次设置在所述装置本体内的扩散板,LED光源,底盖板;量子点层,设置在所述扩散板入光面和/或出光面。本发明提供的发光装置保留LED在价格、寿命和能效方面的优势,而又具有OLED和QLED的优点:面光源,无蓝光危害、光谱接近自然光、显色指数较高、无频闪、无眩光,可以发出无阴影的柔和的暖白光、正白光或彩色光,光照分布均匀。
一种含硅烯量子点的硅氧烯及其制备方法.pdf
提供了一种含硅烯量子点的硅氧烯薄膜及其制备方法,属于荧光功能纳米材料领域。将CaSi<base:Sub>2</base:Sub>与脱钙有机溶剂、过渡金属氯化物催化剂按比例混合均匀,酸洗后超声分散制备获得了镶嵌硅烯量子点的硅氧烯薄膜,这种硅氧烯薄膜厚度在1~2.5nm以下,硅烯量子点尺寸在2~5nm,并且在蓝光区域有很强的荧光发射性能,具有准直接带隙,显示了其在光电等领域良好的应用前景。