Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板及其制备方法.pdf
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Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板及其制备方法.pdf
本发明属于材料化学技术领域,尤其涉及一种Ⅲ族氮化物/异质衬底复合模板及其制备方法,该复合模板包括衬底层和外延层,所述外延层内存在纳米级的孔洞,所述外延层的材料为Ⅲ族氮化物,在纳米级孔洞层下方的Ⅲ族氮化物材料中含有Al元素,由于外延层中纳米孔洞的存在,有效地降低了Ⅲ族氮化物中的缺陷密度,避免了复合模板中裂纹的产生,而且生长工艺简单,适合推广。
III族氮化物复合衬底及其制造方法,层叠的III族氮化物复合衬底,以及III族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
一种III族氮化物复合衬底(1),其具有75mm以上直径,包括彼此接合的支撑衬底(11)以及具有50nm以上且小于10μm厚度的III族氮化物膜(13)。III族氮化物膜(13)的厚度的标准偏差s
无翘曲Ⅲ族氮化物复合衬底的制备方法和衬底放置装置.pdf
本发明公布一种无翘曲Ⅲ族氮化物复合衬底的制备方法和衬底放置装置,将双面抛光的衬底直立于衬底放置装置置于反应室内,双面同时外延生长Ⅲ族氮化物薄膜或微结构形成缓冲层,再双面同时生长厚膜Ⅲ族氮化物,并保证蓝宝石Al面一侧外延厚度稍大于O面一侧外延层厚度。衬底放置装置为多片式石墨架,包括基底、孔洞、滚轮和卡槽,实现衬底旋转,保证生长膜厚的均一性。本发明抑制了翘曲并改善了晶体质量,获得的复合衬底可作为Ⅲ族氮化物准同质外延衬底,用于制备相关光电子器件。本方法充分利用反应室空间、降低生产成本、工艺简单易控,且可选不同衬
III族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造III族氮化物半导体器件的方法.pdf
提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法,以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包
一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制造方法,所述制造方法包括步骤:1)于生长衬底中定义出多个图形单元,并于所述多个图形单元间形成V型沟槽;2)于各该图形单元表面形成缓冲层;3)于各该缓冲层表面形成SiO