一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法.pdf
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一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制造方法,所述制造方法包括步骤:1)于生长衬底中定义出多个图形单元,并于所述多个图形单元间形成V型沟槽;2)于各该图形单元表面形成缓冲层;3)于各该缓冲层表面形成SiO
一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制造方法,所述制造方法包括以下步骤:1)提供一生长衬底,于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层;2)于所述缓冲层表面形成SiO
一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法.pdf
本发明提供一种用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长的衬底结构的制造方法,所述制造方法包括以下步骤:1)于生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层;2)于所述缓冲层表面形成SiO2层;3)采用感应耦合等离子体刻蚀工艺将所述SiO2层刻蚀出间隔排列的多个SiO2凸起,且多个SiO2凸起之间保留预设厚度的SiO2底层;4)采用湿法腐蚀工艺腐蚀所述SiO2底层,直至露出各该SiO2凸起之间的缓冲层。本发明先制备一层含有六角晶格结构的BN材料层或AlN层或AlxGa1-xN层,作为发光外延结构生长的缓冲层,通过两步刻蚀的
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