单片集成光电元件的方法.pdf

公开了一种单片集成传感器，所述单片集成传感器的形式为光探测器、可见光发射器以及相关的控制电路单片集成在单个的硅微芯片上。探测器结构包括扩到所述衬底中和沉积到硅衬底的表面上的p-i-n光电二极管结构。发射器结构包括沉积在所述硅衬底的表面上的III-V族化合物半导体的异质外延层。控制电路采用传统的CMOS大批量制造技术制造。传感器组件被设置成在传统的CMOS晶片厂进行加工。传感器组件被进一步设计成晶片级封装。

2023-06-14

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在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件.pdf

本发明揭示在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件，且所述单片集成可包含以不同的硅层厚度在单一CMOS晶片上制造光子和电子装置。可利用块体CMOS工艺在绝缘体上半导体（SOI）晶片上且/或利用SOI?CMOS工艺在SOI晶片上制造所述装置。可利用双重SOI工艺和/或选择性区域生长工艺来制造所述不同的厚度。可在CMOS晶片上利用一次或一次以上氧植入和/或利用CMOS晶片上的CMOS沟槽氧化物来制造覆层。可利用外延横向过生长在所述CMOS沟槽氧化物上沉积硅。可利用选择性背面蚀刻来制造覆层。可通过在选择性蚀刻

2024-01-04

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光电转换元件和光电转换元件的制造方法.pdf

根据本发明一个实施例的第一光电转换元件包括：第一电极；第二电极，所述第二电极被布置为与所述第一电极相对；和光电转换层，所述光电转换层设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包含发色团、富勒烯或其衍生物和空穴传输材料，其中，所述发色团和所述富勒烯或其衍生物在所述光电转换层中通过交联基团至少部分地彼此结合。

2023-11-01

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在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件.pdf

本发明揭示在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件，且所述单片集成可包含以不同的硅层厚度在单一CMOS晶片上制造光子和电子装置。可利用块体CMOS工艺在绝缘体上半导体(SOI)晶片上且/或利用SOICMOS工艺在SOI晶片上制造所述装置。可利用双重SOI工艺和/或选择性区域生长工艺来制造所述不同的厚度。可在CMOS晶片上利用一次或一次以上氧植入和/或利用CMOS晶片上的CMOS沟槽氧化物来制造覆层。可利用外延横向过生长在所述CMOS沟槽氧化物上沉积硅。可利用选择性背面蚀刻来制造覆层。可通过在选择性蚀刻

2023-12-05

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面向单片集成的光电探测器研究与实现的开题报告.docx

面向单片集成的光电探测器研究与实现的开题报告一、选题背景随着信息技术的不断发展和应用领域的不断拓展，光电探测器作为一种重要的光电转换器件，已经在通信、测量、科研等领域得到广泛的应用。面向单片集成的光电探测器对于提高其性能和应用范围具有重大意义。目前，光电探测器已经发展出多种类型，例如光电二极管、光电倍增管、光电晶体管、光敏电阻等。然而，这些探测器仍然存在一些问题，例如响应速度、灵敏度、噪声等方面的限制。虽然已有一些学者通过结构优化、材料优化等方面努力提高器件性能，但仍有很大的提升空间。因此，研究面向单片集

2024-09-29

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