III族氮化物衬底以及制备工艺.pdf

本发明提供了一种III族氮化物衬底以及制备方法。所提供的衬底的III族元素面至少存在一个横截面为V型的沟槽，所述沟槽的深度范围是0.3nm-50nm，宽度范围是10nm-500nm。本发明的优点在于，只去除晶格损伤而不特别在意是否去除划痕，测试结果表明，与现有技术中采用无划痕衬底相比，所获得的外延层质量相同。因此，本发明摒弃了外延衬底一定要无划痕的技术偏见，提供了有划痕的衬底用于外延生长，节省了化学机械抛光带来的工艺成本。

2023-06-14

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III族氮化物复合衬底及其制造方法,层叠的III族氮化物复合衬底,以及III族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf

一种III族氮化物复合衬底(1)，其具有75mm以上直径，包括彼此接合的支撑衬底(11)以及具有50nm以上且小于10μm厚度的III族氮化物膜(13)。III族氮化物膜(13)的厚度的标准偏差s

2023-06-14

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III族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造III族氮化物半导体器件的方法.pdf

提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包

2023-06-14

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对硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压的改进.pdf

本发明涉及对硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压的改进。本发明提供了一种制造高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法包括：在硅衬底上方形成非故意掺杂的氮化镓(UID?GaN)层，在UID?GaN层上方形成施主供应层，形成栅极，在栅极和施主供应层的部分上方形成钝化层，以及在施主供应层和钝化层的部分上方形成欧姆源极结构和欧姆漏极结构。源极结构包括源极接触部和顶部。顶部与源极接触部和栅极之间的钝化层重叠，并且可以与栅极的一部分以及栅极和漏极结构之间的钝化层的一部分重叠。

2023-06-14

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III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法.pdf

本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。

2023-06-14

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