二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和非芳族多胺的共聚物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105330821A(43)申请公布日2016.02.17(21)申请号201510470297.2(22)申请日2015.05.26(30)优先权数据14/287,0752014.05.26US(71)申请人罗门哈斯电子材料有限公司地址美国马萨诸塞州(72)发明人J·科茹霍Z·I·尼亚齐比托瓦K·M·米鲁姆(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人陈哲锋(51)Int.Cl.C08G59/30(2006.01)C08G59/50(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图2页(54)发明名称二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和非芳族多胺的共聚物(57)摘要二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和非芳族多胺的共聚物。提供了一种共聚物，所述共聚物含有一种或多种二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和一种或多种非芳族多胺的反应产物。二缩水甘油基醚封端的聚硅氧烷化合物和非芳族多胺共聚物用于制备化学镀覆金属(electrolessmetalplating)的介电材料。该共聚物可以用于制造印刷电路板，例如在化学镀金属化(electrolessmetallization)之前清洗和调节通孔。CN105330821ACN105330821A权利要求书1/2页1.一种共聚物，所述共聚物含有一种或多种二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和一种或多种非芳族多胺的反应产物。2.权利要求1的共聚物，其中该一种或多种二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物包含通式：其中R1，R2，R3，R4，R5和R6可以相同或不同，并选自H；线性或支化的，取代或未取代的(C1-C6)烷基；m是1至6的整数，n为1至20的整数。3.权利要求1的共聚物，其中该一种或多种非芳族多胺选自脂族多胺和脂环族多胺。4.权利要求1的共聚物，其中的一种或多种非芳族多胺包含下式：其中R7，R8和R9独立地选自H；线性或支化的，取代或未取代的(C1-C10)烷基胺；线性或支化的，取代或未取代的(C1-C10)烷基；具有如下通式的部分：其中，R10和R15各自独立地选自H；线性或支化的，取代或未取代的(C1-C10)烷基；线性或支化的，取代或未取代的(C1-C10)烷基胺基；并且，条件是如果化合物II和III的氮原子是叔氮，则R7，R8和R9中的至少一个包含具有两个或多个伯氮原子、仲氮原子，或伯和仲氮原子组合的取代基团；q，r和t可以相同或不同，且为1到10的整数。5.一种组合物，所述组合物包含一种或多种二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和一种或多种非芳族多胺的反应产物；以及一种或多种有机溶剂。6.权利要求5的组合物，其中该一种或多种二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物具有以下通式：其中R1，R2，R3，R4，R5和R6可以相同或不同，并选自H；线性或支化的，取代或未取代的(C1-C6)烷基；m是1至6的整数，n为1至20的整数。7.权利要求5的组合物，其中该一种或多种非芳族多胺选自脂族多胺和脂环族多胺。8.权利要求6的组合物，其进一步包含一种或多种添加剂。2CN105330821A权利要求书2/2页9.权利要求8的组合物，其中该一种或多种添加剂选自有机溶剂，表面活性剂和pH调节剂。10.一种方法，所述方法包括：a)提供一种包含电介质的基材；b)将基材与包含一种或多种二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和一种或多种非芳族多胺的反应产物的组合物接触；c)将催化剂施加到该基材上，和d)化学镀覆该基材。11.权利要求10的方法，其中该催化剂是一种离子催化剂。12.权利要求10的方法，其中该基材进一步包括多个通孔，通道或它们的组合。3CN105330821A说明书1/11页二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和非芳族多胺的共聚物发明领域[0001]本发明涉及二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和非芳族多胺的共聚物。更具体地说，本发明涉及化学镀金属化之前用于清洗和调节电介质的二缩水甘油醚封端的聚硅氧烷化合物和非芳族多胺的共聚物。[0002]发明背景[0003]为了功能化和美观的目的，电子工业界希望在介电材料上进行金属化的涂布。已经应用介电材料的金属化技术的一个特别重要的技术领域是在印刷电路板制造中，其中该金属化用于在具有介电材料的基材上提供图案化的导电电路。介电材料的金属化在印刷电路板制造的整个过程的许多步骤中开始发挥作用。一个相当重要的领域是通孔的化学镀金属化。[0004]通常情况下，印刷电路板是平面的，并已在两侧印制电路。该板可以是多层的，并包含介电基材和导电金属例如铜的层压材料，其中该导电金属的一个或多个平行的内层是由介电基材隔开。层压材料的暴露的外侧面含有印刷电路图案作为双面电路板，并且内导电层本身可以包括电路图案。在双面及多层印刷电