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锶掺杂六硼化镧单晶及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种锶元素掺杂的六硼化镧单晶体、其制备方法,及包括其的阴极器件。所述锶元素掺杂的六硼化镧单晶体的分子式为La1?xSrxB6,其中,0<x<1,所述单晶在阴极工作温度1300℃、外加电压1000V条件下,热发射电流密度为15～25A/cm2。与没有掺杂的六硼化镧单晶体相比,本发明所述的锶元素掺杂的六硼化镧单晶体热发射电流密度显著提升。