硅棒切片工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105690586A(43)申请公布日2016.06.22(21)申请号201610202149.7C10N30/06(2006.01)C10N30/12(2006.01)(22)申请日2016.03.31(71)申请人苏州晶樱光电科技有限公司地址215614江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村晶樱光电(72)发明人张力峰田利中白青松邹文龙梁会宁(74)专利代理机构北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350代理人汤东凤(51)Int.Cl.B28D5/04(2006.01)B28D5/00(2006.01)C10M173/02(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称硅棒切片工艺(57)摘要本发明公开了切割线使用量少的硅棒切片工艺，采用切片机对硅棒进行切片，具体为先将清洗好的硅棒、玻璃板和晶托依次粘在一起，然后将晶托固定在切片机上，硅棒两侧的喷嘴对切割线进行喷射砂浆，使得切割线上涂满砂浆，切割线的运动方式为前进A距离，后退B距离，再前进A距离，砂浆的重量百分比组分为聚醚链烷醇胺梳状聚合物5％，环氧乙烷和环氧丙烷反向共聚聚醚4.2％，脂肪族环氧乙烷和环氧丙烷衍生物低泡表面活性剂0.5％，丁二酸钠盐0.5％，多元醇及其加成物80％，水溶性低泡磷酸酯及其衍生物2.4％，其余为水。本发明的优点是：利用切割线往返切割，同时使用合适的砂浆来降低切割线的使用量，降低生产成本。CN105690586ACN105690586A权利要求书1/1页1.硅棒切片工艺，其特征在于：采用切片机对硅棒进行切片，具体为先将清洗好的硅棒、玻璃板和晶托依次粘在一起，然后将晶托固定在切片机上，先启动电机驱动辊子和切割线一起转动，硅棒两侧的喷嘴对切割线进行喷射砂浆，使得切割线上涂满砂浆，切割线的运动方式为前进A距离，后退B距离，再前进A距离，后退B距离，依次类推，晶托带动硅棒下移并使切割线切割硅棒直至硅棒完全被切断即可，其中A＞B，砂浆的重量百分比组分为聚醚链烷醇胺梳状聚合物5％，环氧乙烷和环氧丙烷反向共聚聚醚4.2％，脂肪族环氧乙烷和环氧丙烷衍生物低泡表面活性剂0.5％，丁二酸钠盐0.5％，多元醇及其加成物80％，水溶性低泡磷酸酯及其衍生物2.4％，其余为水。2CN105690586A说明书1/2页硅棒切片工艺技术领域[0001]本发明涉及到一种硅棒切片工艺。背景技术[0002]硅棒切割是硅晶片生产工艺中的一个重要步骤，在切割的时候需要专门的切割线，因为在切割的时候要尽量避免断线，通常是切割线一次通过并切割硅棒，经常断线会导致切割变形硅晶片厚度不一、损坏等现象，因此切割线在切割完硅棒后就不能再使用属于一次性消耗品，切割线的使用量还是很大的，造成资源浪费。发明内容[0003]本发明所要解决的技术问题是：提供一种切割线使用量少的硅棒切片工艺。[0004]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种硅棒切片工艺，采用切片机对硅棒进行切片，具体为先将清洗好的硅棒、玻璃板和晶托依次粘在一起，然后将晶托固定在切片机上，先启动电机驱动辊子和切割线一起转动，硅棒两侧的喷嘴对切割线进行喷射砂浆，使得切割线上涂满砂浆，切割线的运动方式为前进A距离，后退B距离，再前进A距离，后退B距离，依次类推，晶托带动硅棒下移并使切割线切割硅棒直至硅棒完全被切断即可，其中A＞B，砂浆的重量百分比组分为聚醚链烷醇胺梳状聚合物5％，环氧乙烷和环氧丙烷反向共聚聚醚4.2％，脂肪族环氧乙烷和环氧丙烷衍生物低泡表面活性剂0.5％，丁二酸钠盐0.5％，多元醇及其加成物80％，水溶性低泡磷酸酯及其衍生物2.4％，其余为水。[0005]本发明的有益效果是：利用切割线往返切割，同时使用合适的砂浆来降低切割线的使用量，降低生产成本。具体实施方式[0006]本发明所述的硅棒切片工艺，采用切片机对硅棒进行切片，具体为先将清洗好的硅棒、玻璃板和晶托依次粘在一起，然后将晶托固定在切片机上，先启动电机驱动辊子和切割线一起转动，硅棒两侧的喷嘴对切割线进行喷射砂浆，使得切割线上涂满砂浆，晶托带动硅棒下移并使切割线切割硅棒直至硅棒完全被切断即可，切割线的运动方式为前进A距离，后退B距离，再前进A距离，后退B距离，依次类推，其中A＞B，利用切割线往返并前进的方式切割硅棒，在保证切割线不断的情况下使切割线的使用率达到最大，砂浆的重量百分比组分为聚醚链烷醇胺梳状聚合物5％，环氧乙烷和环氧丙烷反向共聚聚醚4.2％，脂肪族环氧乙烷和环氧丙烷衍生物低泡表面活性剂0.5％，丁二酸钠盐0.5％，多元醇及其加成物80％，水溶性低泡磷酸酯及其衍生物2.4％，其余为水。该砂浆具有优异的润滑性能、分散能力及恰当的润湿能力，能够在切割过程中消除切割线与硅棒之间的