磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105702265A(43)申请公布日2016.06.22(21)申请号201510920652.1C03C19/00(2006.01)(22)申请日2015.12.11(30)优先权数据2014-2523962014.12.12JP(71)申请人旭硝子株式会社地址日本东京(72)发明人宫谷克明小林大介(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219代理人王海川穆德骏(51)Int.Cl.G11B5/73(2006.01)G11B5/84(2006.01)C09G1/02(2006.01)C03C23/00(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图2页(54)发明名称磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质(57)摘要本发明涉及磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质。本发明的课题在于提供可以稳定地进行磁记录介质的读写的磁记录介质用玻璃基板。一种磁记录介质用玻璃基板，其为具有要形成磁性层的主平面的磁记录介质用玻璃基板，其中，在将上述玻璃基板的上述主平面的表层的第13族元素的原子浓度的合计设为C1(原子％)、将上述表层的Si元素的原子浓度设为C2(原子％)、将上述玻璃基板的内部的第13族元素的合计设为C3(原子％)、将上述玻璃基板的内部的Si元素的原子浓度设为C4(原子％)时，由下述式(1)表示的R1为0.30～0.90。CN105702265ACN105702265A权利要求书1/1页1.一种磁记录介质用玻璃基板，其为具有要形成磁性层的主平面的磁记录介质用玻璃基板，其中，在将所述玻璃基板的所述主平面的表层的第13族元素的原子浓度的合计设为C1原子％、将所述表层的Si元素的原子浓度设为C2原子％、将所述玻璃基板的内部的第13族元素的合计设为C3原子％、将所述玻璃基板的内部的Si元素的原子浓度设为C4原子％时，由下述式(1)表示的R1为0.30～0.90，2.如权利要求1所述的磁记录介质用玻璃基板，其中，在将所述表层的碱金属的原子浓度的合计设为C5原子％、将所述表层的第2族元素的原子浓度的合计设为C6原子％、将所述玻璃基板的内部的碱金属的原子浓度的合计设为C7原子％、将所述玻璃基板的内部的第2族元素的原子浓度的合计设为C8原子％时，由下述式(2)表示的R2为0.20～0.90，3.如权利要求1或2所述的磁记录介质用玻璃基板，其中，以氧化物基准的摩尔％计，所述玻璃基板含有62～74％的SiO2、5～30％的Al2O3和B2O3中的任意一种以上成分、合计0～10％的MgO、CaO、SrO和BaO中的任意一种以上成分，且含有合计0～23％的Li2O、Na2O和K2O中的任意一种以上成分。4.一种磁记录介质，其使用了权利要求1～3中任一项所述的玻璃基板。2CN105702265A说明书1/9页磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质技术领域[0001]本发明涉及磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质。背景技术[0002]对于磁记录介质用玻璃基板而言，为了实现记录密度的更高密度化，要求减小表面粗糙度、减少在表面上存在的缺陷。例如在专利文献1中记载了使用含有添加剂的抛光液对玻璃基板的主平面进行抛光、并使用含有添加剂的清洗液对抛光后的玻璃基板进行清洗，由此制造适合于高记录密度磁盘用的基板的磁盘用玻璃基板。通过在抛光后的玻璃基板的主平面上形成磁性层等膜而得到磁记录介质。[0003]现有技术文献[0004]专利文献[0005]专利文献1：WO2010/038741A1发明内容[0006]发明所要解决的问题[0007]希望通过磁记录介质的高密度化而减小进行磁记录介质的读写的磁头的距离磁记录介质的浮动高度(以下，简称为“磁头的浮动高度”)。[0008]伴随着磁记录介质的高密度化，产生了难以减小磁头的浮动高度、难以稳定地进行磁记录介质的读写的问题。[0009]本发明鉴于上述课题而作出，其主要目的在于提供可以稳定地进行磁记录介质的读写的磁记录介质用玻璃基板。[0010]用于解决问题的手段[0011]为了解决上述课题，根据本发明的一个方式，提供一种磁记录介质用玻璃基板，其为具有要形成磁性层的主平面的磁记录介质用玻璃基板，其中，[0012]在将上述玻璃基板的上述主平面的表层的第13族元素的原子浓度的合计设为C1(原子％)、将上述表层的Si元素的原子浓度设为C2(原子％)、将上述玻璃基板的内部的第13族元素的合计设为C3(原子％)、将上述玻璃基板的内部的Si元素的原子浓度设为C4(原子％)时，由下述式(1)表示的R1为0.30～0.90。[0013][0014]发明效果[0015]根据本发明的一个方式，可以提供能够稳定地进行磁记录介质的读写的磁记录介质用玻璃基板。附图说明[0016]图1是表示基于