预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/6
2/6
3/6
4/6
5/6
6/6

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111303205A(43)申请公布日2020.06.19(21)申请号202010245091.0(22)申请日2020.03.31(71)申请人苏州欣溪源新材料科技有限公司地址215000江苏省苏州市张家港保税区石化交易大厦1120-3室(72)发明人陈鹏宇刘迪韩宝康(74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司32103代理人范晴顾天乐(51)Int.Cl.C07F9/00(2006.01)权利要求书2页说明书3页(54)发明名称双核钽配合物及其制备方法(57)摘要一种双核钽配合物及其制备方法,制备方法包括:1)将二氨基化合物溶解在烷烃溶剂中,再滴入三甲基氯硅烷,搅拌后抽滤,滤液常压蒸馏得到三甲基硅基胺化合物;2)将三甲基硅基胺化合物滴入溶解有五氯化钽的甲苯悬浊液中,之后滴入吡啶,反应后抽滤,蒸干所得的滤液得到中间产物二吡啶基酰亚胺基氯化钽化合物;3)将二吡啶基酰亚胺基氯化钽化合物溶解于烷烃溶剂中,得到悬浊液,再滴加到溶解有二烷基氨基锂的烷烃溶剂悬浊液中,反应后抽滤,蒸干所得的滤液得到目标产物双三烷基氨基酰亚胺钽配合物粗品,再减压精馏,得到高纯度双三烷基氨基酰亚胺钽配合物。本发明操作条件便利,反应过程平和,产物收率高,稳定性好。CN111303205ACN111303205A权利要求书1/2页1.一种双核钽配合物,其特征在于,所述双核钽配合物为双三烷基氨基酰亚胺钽配合物,具有以下通式(1)结构:其中:R1-R12基相同或不同,分别选自碳原子数量小于等于五的烷基基团或氢原子中的一种;R13基为碳原子数量为1-15的烷基基团或芳香烃基团。2.根据权利要求1所述双核钽配合物,其特征是,所述R1~R12基分别选自氢原子、甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基中一种。3.根据权利要求1所述双核钽配合物,其特征是,所述R13基选自亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚苯基中一种。4.一种双核钽配合物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将二氨基化合物溶解在烷烃溶剂中,再滴入三甲基氯硅烷,搅拌后抽滤,滤液常压蒸馏得到三甲基硅基胺化合物;步骤2:将步骤1中得到的三甲基硅基胺化合物滴入溶解有五氯化钽的甲苯悬浊液中,之后滴入吡啶,反应后抽滤,蒸干所得的滤液得到中间产物二吡啶基酰亚胺基氯化钽化合物;步骤3:将步骤2中得到的二吡啶基酰亚胺基氯化钽化合物溶解于烷烃溶剂中,得到悬浊液,再滴加到溶解有二烷基氨基锂的烷烃溶剂悬浊液中,反应后抽滤,蒸干所得的滤液得到目标产物双三烷基氨基酰亚胺钽配合物粗品,再减压精馏,得到高纯度双三烷基氨基酰亚胺钽配合物;所述步骤1-步骤3均在室温下、有惰性气氛保护的反应容器中进行,使用的烷烃溶剂均经过除水除氧处理。5.根据权利要求4所述双核钽配合物的制备方法,其特征是,所述二氨基化合物选自乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺、1,5-戊二胺、1,6-己二胺、1,7-庚二胺、1,8-辛二胺、间二苯胺、对二苯胺中至少一种。6.根据权利要求4所述双核钽配合物的制备方法,其特征是,所述二烷基氨基锂选自二甲氨基锂、二乙氨基锂、甲乙氨基锂、二丁基锂、甲基丁基锂、二丙基锂、甲基丙基锂、二异丙基锂、甲基异丙基锂、甲基叔丁胺基锂、二叔丁胺基锂中至少一种。7.根据权利要求4所述双核钽配合物的制备方法,其特征是,所述烷烃溶剂选自正己烷、正戊烷和正庚烷中至少一种。8.根据权利要求4所述双核钽配合物的制备方法,其特征是,所述三甲基氯硅烷、二氨基化合物、五氯化钽、吡啶、二烷基氨基锂的摩尔比为2.2:2.3:1:4:3.3。9.根据权利要求4所述双核钽配合物的制备方法,其特征是,所述步骤1中搅拌时间为12小时,步骤2中反应时间为3小时,步骤3中反应时间为12小时。2CN111303205A权利要求书2/2页10.根据权利要求4所述双核钽配合物的制备方法,其特征是,所述步骤3中减压精馏的真空度为5-15mmHg,精馏温度为100-120℃。3CN111303205A说明书1/3页双核钽配合物及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及的是一种有机化学领域的技术,具体是一种双核钽配合物及其制备方法。背景技术[0002]按照摩尔定律,随着集成度的提高,晶体管特征尺寸按比例缩小,其结果就是晶体管沟道长度的减小和栅的减薄。几十年来,随着全球集成电路制造技术升级换代,SiO2作为栅介质材料已经很接近可以保证完整带隙结构的最小厚度。在寻找替代品的过程中,高K材料被认为是理想的替代品。Ta2O5由于具有较合适的介电常数,低的漏电流密度,高的击穿电压,以及易与目前的硅工艺相兼容等优点,一直被认为是SiO2最好的替代品之一。[0003]目前已经报道了许多Ta2