一种PERC电池的背面钝化膜结构及其制备方法和用途.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112510100A(43)申请公布日2021.03.16(21)申请号202011390155.2(22)申请日2020.12.01(71)申请人横店集团东磁股份有限公司地址322118浙江省金华市东阳市横店镇工业区(72)发明人任永伟何悦贾松燕(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人巩克栋(51)Int.Cl.H01L31/0216(2014.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书3页说明书10页附图1页(54)发明名称一种PERC电池的背面钝化膜结构及其制备方法和用途(57)摘要本发明提供了一种PERC电池的背面钝化膜结构及其制备方法和用途。所述背面钝化膜结构包括依次层叠设置的氧化铝层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层和含硅氧层。所述制备方法包括：依次在镀有氧化铝层的硅片上沉积氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层和含硅氧层，得到所述PERC电池的背面钝化膜结构。本发明通过在氧化硅层和氮化硅层之间增设一层氮氧化硅层，有效的提高了背面钝化膜结构的钝化效果，同时通过对于制备过程中升温降温的调控以及沉积各个膜层时参数的协同配合，使得背面钝化膜结构的钝化效果进一步加强，还提高了光的内吸收率，实现了提升PERC电池效率的目的。CN112510100ACN112510100A权利要求书1/3页1.一种PERC电池的背面钝化膜结构，其特征在于，所述背面钝化膜结构包括依次层叠设置的氧化铝层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层和含硅氧层。2.根据权利要求1所述的背面钝化膜结构，其特征在于，所述背面钝化膜结构位于PERC电池的硅片表面；优选地，所述氧化铝层位于所述PERC电池的硅片表面；优选地，所述背面钝化膜结构的厚度为100～170nm；优选地，所述氮化硅层包括依次层叠设置的第一氮化硅膜和第二氮化硅膜；优选地，所述第一氮化硅膜的折射率为2.1～2.25；优选地，所述第二氮化硅膜的折射率为2～2.15；优选地，所述含硅氧层包括氮氧化硅层和/或氧化硅层。3.根据权利要求1或2所述的PERC电池的背面钝化膜结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：依次在镀有氧化铝层的硅片上沉积氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层和含硅氧层，得到所述PERC电池的背面钝化膜结构。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述镀有氧化铝层的硅片进行沉积前先进行准备工作，所述准备工作依次包括插片、送舟、回温、恒温、一次抽真空、捡漏和二次抽真空；优选地，所述插片包括将所述镀有氧化铝层的硅片用自动插片机插入石墨舟内；优选地，所述送舟包括将所述石墨舟放到镀膜机桨上，送入镀膜炉管内；优选地，所述回温包括将所述镀膜炉管内温区升温至大于等于400℃；优选地，所述恒温包括设置所述镀膜炉管内温区的温度；优选地，所述温度为400～480℃；优选地，所述恒温的时间为5～15min；优选地，所述一次抽真空包括对所述镀膜炉管进行抽真空操作；优选地，所述捡漏包括确认所述镀膜炉管中的压力＜100mTorr/min。5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述沉积氧化硅层的操作依次包括预沉积、沉积和抽真空；优选地，所述预沉积包括在所述镀膜炉管内通入SiH4和N2O；优选地，所述预沉积中SiH4和N2O通入的体积比为1:4～1:16；优选地，所述预沉积的压力为1300～1900mTorr；优选地，所述沉积包括在所述镀膜炉管内通入SiH4和N2O，并开启射频功率；优选地，所述沉积中SiH4和N2O的通入的体积比为1:4～1:16；优选地，所述沉积的压力为1300～1900mTorr；优选地，所述沉积的时间为30～200s。6.根据权利要求3‑5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述沉积氮氧化硅层的操作依次包括预沉积、沉积、抽真空和升温；优选地，所述预沉积包括在所述镀膜炉管内通入SiH4、NH3和N2O；优选地，所述预沉积中SiH4和NH3通入的体积比为1:5～1:15；优选地，所述预沉积中SiH4和N2O通入的体积比为1:2～1:10；2CN112510100A权利要求书2/3页优选地，所述预沉积的压力为1300～1900mTorr；优选地，所述沉积包括在所述镀膜炉管内通入SiH4、NH3和N2O，并开启射频功率；优选地，所述沉积中SiH4和NH3通入的体积比为1:5～1:15；优选地，所述沉积中SiH4和N2O通入的体积比为1:2～1:10；优选地，所述沉积的压力为1300～1900mTorr；优选地，所述沉积的时间为60～240s；优选地，所述升温包括将所述镀膜炉管内的温度提高20～50℃；优选地，所述升温后保温5～10min。7.根据权利要求3‑