一种低氯无ECH残留TGIC固化剂及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112500399A(43)申请公布日2021.03.16(21)申请号202011402133.3(22)申请日2020.12.02(71)申请人黄山华惠科技有限公司地址245900安徽省黄山市徽州区岩寺镇昌盛路15号(72)发明人林光伟杨志萍王永垒汤增荣何领项纯(74)专利代理机构北京智桥联合知识产权代理事务所(普通合伙)11560代理人涂华明(51)Int.Cl.C07D405/14(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称一种低氯无ECH残留TGIC固化剂及其制备方法(57)摘要本发明属于固化剂技术领域，具体涉及一种低氯无ECH残留TGIC固化剂及其制备方法。本发明所述TGIC固化剂的制备方法，以异氰脲酸、氯丙烯、碳酸钠、环氧化溶剂、双氧水、金属催化剂为原料制备，先经过加压反应制备TAIC，再将TAIC在相对低浓度双氧水的氧化作用下经过特殊的循环式分离反应器中进行反应，并且不断地将生成的TGIC产品从体系中分离出来，然后经过甲醇淋洗得到低氯电子级TGIC固化剂产品，最终达到产品收率90％以上，且制得TGIC固化剂产品的总氯在5ppm以下、无ECH残留、环氧当量100‑103g/mol，具有更优的品质和应用价值。CN112500399ACN112500399A权利要求书1/1页1.一种低氯无ECH残留TGIC固化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取异氰脲酸、氯丙烯和碳酸钠混匀，在密闭状态下于90‑110℃进行加压反应；(2)当所述异氰脲酸几乎全部转化为异氰脲酸三烯丙基酯(TAIC)时停止反应，去除体系中生成的氯化钠即得到含TAIC产品的氯丙烯母液；将所述氯丙烯母液进行精馏处理，分别得到氯丙烯和高纯度的异氰脲酸三烯丙基酯(TAIC)，备用；(3)将得到的所述异氰脲酸三烯丙基酯(TAIC)加入环氧化溶剂、过氧化氢的水溶液和金属催化剂混匀，于30‑50℃进行反应，并在反应过程中将得到的固体异氰脲酸三缩水甘油酯(TGIC)从液相体系不断分离出来；(4)当液相中所述异氰脲酸三烯丙基酯(TAIC)几乎完全转化为异氰脲酸三缩水甘油酯(TGIC)时停止反应，收集反应过程之后分离出的固体异氰脲酸三缩水甘油酯(TGIC)经洗涤、离心，即得。2.根据权利要求1所述低氯无ECH残留TGIC固化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述异氰脲酸、氯丙烯和碳酸钠的摩尔比为1：8‑12：2‑2.5。3.根据权利要求1或2所述低氯无残留TGIC固化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述加压反应的压力为1‑3Mpa。4.根据权利要求1‑3任一项所述低氯无残留TGIC固化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述去除氯化钠的步骤为降温至5‑10℃进行离心处理。5.根据权利要求1‑4任一项所述低氯无ECH残留TGIC固化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述异氰脲酸、环氧化溶剂和过氧化氢的摩尔比为1：1‑1.5：4‑5；所述金属催化剂的用量占所述异氰脲酸质量的0.08‑0.15％。6.根据权利要求1‑5任一项所述低氯无ECH残留TGIC固化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述金属催化剂包括三氧化钼与乙酸锰以质量比1：1‑2的混合物。7.根据权利要求1‑6任一项所述低氯无ECH残留TGIC固化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述过氧化氢的水溶液的质量浓度≥25wt％。8.根据权利要求1‑7任一项所述低氯无ECH残留TGIC固化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述环氧化溶剂包括乙醇和/或乙腈。9.根据权利要求1‑8任一项所述低氯无ECH残留TGIC固化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，还包括在反应结束后，收集液相反应物进行减压蒸馏的步骤以脱除水及环氧化溶剂，待反应体系的固液比为1：1.5‑1：2时，停止蒸馏并降温至5‑10℃冷却，离心收集固体的异氰脲酸三缩水甘油酯(TGIC)，并与反应过程中分离的固体异氰脲酸三缩水甘油酯(TGIC)进行混合。10.由权利要求1‑9任一项所述方法制备得到的低氯无ECH残留TGIC固化剂。2CN112500399A说明书1/6页一种低氯无ECH残留TGIC固化剂及其制备方法技术领域[0001]本发明属于固化剂技术领域，具体涉及一种低氯无ECH残留TGIC固化剂及其制备方法。背景技术[0002]异氰脲酸三缩水甘油酯，又称三(2,3‑环氧丙基)异氰脲酸酯，简称TGIC，俗称“呔哔克”，是重要的三聚氰酸衍生物。由于TGIC具有三个高度活性的环氧基，且三嗪环也很稳定，因此，TGIC不仅具有一般环氧树脂的理化性质，能和胺类、羧酸、酚醛、酸酐等环氧类固化剂