高光学纯度左氧氟沙星的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114507242A(43)申请公布日2022.05.17(21)申请号202210095280.3(22)申请日2022.01.26(71)申请人上虞京新药业有限公司地址312369浙江省绍兴市杭州湾上虞经济技术开发区纬三路31号(72)发明人汪平中徐赛珍黄伟平苏磊马银袁胜鑫(74)专利代理机构杭州天正专利事务所有限公司33201专利代理师黄美娟(51)Int.Cl.C07D498/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称高光学纯度左氧氟沙星的制备方法(57)摘要本发明公开了一种制备高光学纯度左氧氟沙星的方法。所述方法为，将光学异构体较高的左氧氟沙星溶解于DMSO中，然后滴加水析晶，高温过滤，得到光学异构体在0.1％以下的左氧氟沙星，收率为70％。CN114507242ACN114507242A权利要求书1/1页1.一种高光学纯度左氧氟沙星的制备方法，其特征在于所述方法为：在85～105℃下，将含光学异构体的左氧氟沙星溶解于二甲基亚砜中，逐滴加水析出固体，趁热过滤，所得滤饼干燥，得到高光学纯度的左氧氟沙星；所述左氧氟沙星、二甲基亚砜与水的质量比为0.20～0.31:1:0.10～0.22。2.如权利要求1所述的高光学纯度左氧氟沙星的制备方法，其特征在于：所述溶解的温度为70～90℃。3.如权利要求2所述的高光学纯度左氧氟沙星的制备方法，其特征在于：所述溶解的温度为90℃。4.如权利要求1所述的高光学纯度左氧氟沙星的制备方法，其特征在于：所述干燥的温度为90℃。5.如权利要求1所述的高光学纯度左氧氟沙星的制备方法，其特征在于：所述左氧氟沙星、二甲基亚砜与水的质量比为0.20～0.31:1:0.20～0.21。6.如权利要求1或5所述的高光学纯度左氧氟沙星的制备方法，其特征在于：所述左氧氟沙星、二甲基亚砜与水的质量比为0.31:1:0.21。2CN114507242A说明书1/3页高光学纯度左氧氟沙星的制备方法(一)技术领域[0001]本发明属于制药技术领域，涉及一种高光学纯度左氧氟沙星的制备方法。(二)背景技术[0002]左氧氟沙星的抗菌活性是右氧氟沙星的8～128倍。现有制备左氧氟沙星方法有两种，一种是以高光学纯度的L‑氨基丙醇为原料合成左氧氟羧酸，再与N‑甲基哌嗪进行缩合反应，最后再经后处理得到左氧氟沙星，此方法得到的左氧氟沙星仍含有0.2％的右氧氟沙星。另一种方法是以消旋的L‑氨基丙醇为原料合成外消旋的氧氟沙星，然后再经手性试剂拆分制备高光学纯度的左氧氟沙星，如专利CN103709176A，CN105037387A，CN103664998A，CN102093152A，CN111925380A。前一种方法光学异构体无法达到0.1％以下，后一种方法则会产生50％的右氧氟沙星且拆分过程繁琐难以工业化。本技术采用结晶DMSO和水的混合溶剂结晶再高温过滤的方式可以得到光学异构体0.1％以下的左氧氟沙星，操作简单。[0003](三)发明内容[0004]为了解决现有技术中存在的补加拆分剂拆分无法使左氧氟沙星中光学异构体降低至0.1％以下的缺陷，本发明提供一种高光学纯度左氧氟沙星的制备方法。所述方法利用结晶清除左氧氟沙星光学异构体，需要控制水量。[0005]为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：[0006]本发明提供一种高光学纯度左氧氟沙星的制备方法，所述方法为：在85～105℃(优选70～90℃，特别优选90℃)下，将含光学异构体的左氧氟沙星溶解于二甲基亚砜3CN114507242A说明书2/3页(DMSO)中，逐滴加水析出固体，趁热(即上述85～105℃，优选70～90℃，特别优选90℃下)过滤，所得滤饼(90℃)干燥，得到高光学纯度的左氧氟沙星；所述左氧氟沙星、二甲基亚砜与水的质量比为0.20～0.31:1:0.10～0.22(优选0.20～0.31:1:0.20～0.21，更优选为0.31:1:0.21)。[0007]与现有技术相比，本发明的有益效果在于：操作简单，成本低，左氧氟沙星光学纯度高，光学异构体在0.1％以下。(四)具体实施方式[0008]以下通过实施例进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于举例说明目的，而不是对本发明的限制。本领域技术人员根据本发明构思对其作出的各种改变或调整，均应落入本发明的保护范围内。[0009]以下实施例中光学异构体的检测条件为：USP35，色谱柱：C184.6mm×250mm；5μm柱温：45℃；流速0.8mL/min；检测波长：360nm，进样量：25μL。[0010]实施例1：[0011]将20g左氧氟沙星(含光学异构体0.21％，批号：DK21‑2105103，生产厂家：上虞京新药业有限公司)，