一种半导体照明器件的铝基板焊接制造装置.pdf
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一种半导体照明器件的铝基板焊接制造装置.pdf
本发明涉及半导体照明器件领域,且公开了一种半导体照明器件的铝基板焊接制造装置,包括底座、固定板和顶板,底座固定安装于固定板上,底座与固定板之间固定安装有导向盘,底座与导向盘之间设置有转盘一,底座与顶板之间设置有转盘二,导向盘内设置有多个夹持块,夹持块的数量为四个,夹持块与转盘一和转盘二之间设置有夹持结构,夹持结构包括滑柱,底座的一侧开设有凹槽,凹槽内设置有丝杆,丝杆的一端连接有电机,丝杆上设置有驱动转盘一与转盘二转动的调节结构,调节结构包括连杆一和连杆二,该夹持机构利用四个矩形的夹持块转动的特性来自动纠正
基板处理装置及半导体器件的制造方法.pdf
本发明提供一种能够缓和将多张晶片并排处理时的多个晶片的面间不均匀性(负载效应)的基板处理装置,基板处理装置构成为,包括:基板保持件,其按照规定的间隔排列保持多个基板;收容基板保持件的反应管,其具备使上端闭塞的顶板,并在下方具有能够使基板保持件出入的开口;炉体,其包围该反应管的上方及侧方;盖,其直接或间接保持基板保持件,并封堵开口;以及气体供给机构,其向在反应管内保持于基板保持件的多个基板各自的表侧的面提供与表侧的面平行的气体流动,基板保持件构成为,保持形成有集成电路图案的产品基板或监控基板和在表侧的面形成
半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法.pdf
提供一种半导体器件,在Ge基板上形成的P沟道型MISFET的第一源极及第一漏极由以下化合物构成:Ge原子与镍原子的化合物;Ge原子与钴原子的化合物;或Ge原子、与镍原子和钴原子的化合物构成,在由III-V族化合物半导体构成的半导体晶体层上形成的N沟道型MISFET的第二源极及第二漏极由以下化合物构成:III族原子及V族原子、与镍原子的化合物;III族原子及V族原子、与钴原子的化合物;或III族原子及V族原子、与镍原子及钴原子的化合物构成。
半导体基板、半导体器件及半导体基板的制造方法.pdf
本发明提供一种在单一的硅基板上使不同种类的半导体结晶层外延生长时,能够提高表面的平坦性,提高半导体器件的可靠性的半导体基板。该半导体基板其具有:在表面形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶的基底基板、在第一凹部的内部形成且为露出状态的第一IVB族半导体结晶、在第二凹部的内部形成的第二IVB族半导体结晶、及形成在第二凹部的内部的第二IVB族半导体结晶上且处于露出状态的III-V族化合物半导体结晶。
光器件、半导体基板、光器件的制造方法、以及半导体基板的制造方法.pdf
提供一种光器件,具备:基底基板,包含硅;多个种晶,设置在基底基板上;以及多个3-5族化合物半导体,与多个种晶晶格匹配或者准晶格匹配,其中,在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有光电半导体,该光电半导体包含根据供给的驱动电流来输出光的发光半导体、或者接收光的照射来产生光电流的感光半导体,在多个3-5族化合物半导体中的具有光电半导体的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有异质结晶体管。