激光控制结构和使用该激光控制结构的激光接合方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115570263A(43)申请公布日2023.01.06(21)申请号202210704270.5B05D7/24(2006.01)(22)申请日2022.06.21B05D5/06(2006.01)C09K3/00(2006.01)(30)优先权数据10-2021-00801042021.06.21KR10-2022-00730942022.06.15KR(71)申请人韩国电子通信研究院地址韩国大田市(72)发明人张基锡严龙成崔广汶崔光成朱智浩文石焕李娓(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司11286专利代理师王皎彤于翔(51)Int.Cl.B23K26/21(2014.01)B23K26/70(2014.01)权利要求书3页说明书9页附图17页(54)发明名称激光控制结构和使用该激光控制结构的激光接合方法(57)摘要提供了一种激光控制结构和使用该激光控制结构的激光接合方法，所述激光接合方法，包括：在基板上形成接合部；将接合对象设置到接合部上；将激光控制结构设置到接合对象或基板上；向接合对象和接合部照射激光；控制通过激光控制结构吸收的激光的量；使用受控量的激光将接合部和接合对象加热到接合温度；以及将接合部与接合对象进行接合。激光控制结构包括：第一基板，包括第一区域和第二区域；第一薄膜层压件，在第一区域上；以及第二薄膜层压件，在第二区域上。第一薄膜层压件包括至少一个第一薄膜层和至少一个第二薄膜层；第二薄膜层压件包括至少一个第三薄膜层和至少一个第四薄膜层；第一薄膜层压件与第二薄膜层压件具有不同的反射率或吸收率。CN115570263ACN115570263A权利要求书1/3页1.一种激光接合方法，包括：在基板上形成接合部；将接合对象设置到所述接合部上；将激光控制结构设置到所述接合对象或所述基板上；向所述接合对象和所述接合部照射激光；控制通过所述激光控制结构吸收的激光的量；使用所述受控量的激光将所述接合部和所述接合对象加热到接合温度；以及将所述接合部与所述接合对象进行接合，其中，所述激光控制结构包括：第一基板，包括第一区域和第二区域；第一薄膜层压件，在第一区域上；以及第二薄膜层压件，在第二区域上，其中，第一薄膜层压件包括层压在第一区域上的至少一个第一薄膜层和至少一个第二薄膜层，第二薄膜层压件包括层压在第二区域上的至少一个第三薄膜层和至少一个第四薄膜层，第一薄膜层压件相对于激光的反射率或吸收率不同于第二薄膜层压件的反射率或吸收率，并且接合温度根据所吸收的激光的量而变化。2.如权利要求1所述的激光接合方法，其中：所述接合部包括第一接合部和第二接合部；所述接合对象包括第一子接合对象和第二子接合对象；所述加热到所述接合温度的步骤包括使用所述受控量的激光将第一接合部和第一子接合对象加热到第一接合温度，并且将第二接合部和第二子接合对象加热到第二接合温度；所述接合的步骤包括将第一接合部与第一子接合对象进行接合，并且将第二接合部与第二子接合对象进行接合；以及由所述量的激光的加热产生的第一接合温度不同于由所述量的激光的加热产生的第二接合温度。3.如权利要求1所述的激光接合方法，其中，第一薄膜层压件和第二薄膜层压件的厚度不同。4.如权利要求1所述的激光接合方法，其中，第一薄膜层压件和第二薄膜层压件被图案化并设置。5.如权利要求1所述的激光接合方法，其中，第一基板包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)、玻璃、石英或它们的组合。6.如权利要求1所述的激光接合方法，其中，第一薄膜层至第四薄膜层包括SiO2、SiNx、金属、陶瓷或它们的组合。7.如权利要求1所述的激光接合方法，其中，第一薄膜层至第四薄膜层包括氧化铯钨(CWO)、六硼化镧、氧化铟锡(ITO)、氧化锑锡(ATO)或它们的组合。2CN115570263A权利要求书2/3页8.如权利要求1所述的激光接合方法，其中，所述接合部为糊剂或膜的形式，并且包括基础树脂、还原剂、固化剂和催化剂。9.如权利要求8所述的激光接合方法，其中，所述接合部还包括导电填料，所述导电填料包括锡、银、铜、铅、铟、铋(Bi)、镉、锑、镓、砷、锗、锌、铝、金、硅、镍、磷或它们的组合。10.如权利要求8所述的激光接合方法，其中，所述接合部还包括非导电颗粒、热产酸剂、光产酸剂、敏化剂、氧化铝、二氧化硅、氮化铝、碳化硅、染料、炭黑、石墨烯、碳纳米管或它们的组合。11.如权利要求8所述的激光接合方法，其中，所述基础树脂包括环氧树脂、苯氧基树脂、双马来酰亚胺、不饱和聚酯、尿烷、尿素、苯酚‑甲醛、硫化橡胶、三聚氰胺树脂、聚酰亚胺、环氧酚醛树脂、氰酸酯、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、乙烯树脂或它们的组合。12.如权利要求8所述的激光接合方法，其中，所述还原剂包括甲酸、乙酸、乳酸、