半导体结构及其制备方法、芯片转移方法及显示面板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115775815A(43)申请公布日2023.03.10(21)申请号202111043805.0(22)申请日2021.09.07(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人蔡明达张杨(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师郭凤杰(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)H01L33/00(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书1页说明书8页附图3页(54)发明名称半导体结构及其制备方法、芯片转移方法及显示面板(57)摘要本发明涉及一种半导体结构及其制备方法、芯片转移方法及显示面板。该半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供基板；对所述基板进行图形化处理，以形成多个间隔排布的弱化结构，所述弱化结构的高度小于所述基板的初始高度；于所述弱化结构之间形成牺牲层；形成多个芯片，所述芯片与所述弱化结构接触。上述半导体结构的制备方法可以降低芯片与生长基板的分离难度，能够与芯片本身的制程兼容，减少工艺步骤，从而提升芯片的转移效率，减少在芯片的分离过程中对芯片可能造成的损伤，并且上述半导体结构的制备方法中制备得到的带有弱化结构的基板，在后续工艺中芯片被分离之后，其本身也并不会被破坏，因此还可以重复利用，降低工艺成本。CN115775815ACN115775815A权利要求书1/1页1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基板；对所述基板进行图形化处理，以形成多个间隔排布的弱化结构，所述弱化结构的高度小于所述基板的初始高度；于所述弱化结构之间形成牺牲层；形成多个芯片，所述芯片与所述弱化结构接触。2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所述基板进行图形化处理，以形成多个间隔排布的弱化结构，包括如下步骤：于所述基板的表面形成多个掩膜图形，多个所述掩膜图形于所述基板的表面呈阵列排布，相邻所述掩膜图形之间具有间距；基于所述掩膜图形刻蚀所述基板，以形成多个间隔排布的所述弱化结构。3.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述掩膜图形包括粒子；所述于所述基板的表面形成多个掩膜图形，包括如下步骤：于所述基板的表面形成多个初始粒子，多个所述初始粒子呈阵列排布，且相邻所述初始粒子相接触；对各所述初始粒子进行刻蚀，以得到多个所述掩膜图形。4.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述掩膜图形包括随机图案；所述于所述基板的表面形成多个掩膜图形，包括如下步骤：基于模拟运算于所述基板的表面形成多个所述掩膜图形。5.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述弱化结构的纵截面形状包括三角形、球形、圆弧形、曲面或多边形。6.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，相邻所述弱化结构之间的间距小于所述芯片的宽度；各所述芯片均与至少两个所述弱化结构相接触。7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述牺牲层上形成多个芯片之后，还包括：去除所述牺牲层。8.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构采用如权利要求1至7中任一项所述的半导体结构的制备方法制备而得到。9.一种芯片转移方法，其特征在于，包括如下步骤：采用如权利要求7所述的半导体结构的制备方法制备所述半导体结构；采用转移装置拾取所述芯片，并将所述芯片转移至背板的表面。10.一种显示面板，其特征在于，包括：背板及位于所述背板表面的多个芯片，多个所述芯片采用如权利要求9所述的芯片转移方法转移至所述背板的表面。2CN115775815A说明书1/8页半导体结构及其制备方法、芯片转移方法及显示面板技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、芯片转移方法及显示面板。背景技术[0002]微发光二极管(MicroLED)显示技术是新兴的显示技术，相对比常规的显示技术，以MicroLED技术为核心的显示具有响应速度快，自主发光、对比度高、使用寿命长、光电效率高等特点。[0003]在Micro‑led产业技术中会将百万甚至千万级的LED芯片，由生长基板转移至暂存基板，再由暂存基板转移至背板中，常用的芯片转移技术包括拾取及放置(PickandPlace)或激光转移方案等；然而，目前的芯片转移技术普遍存在工艺步骤复杂，转移效率及转移良率较低等问题。[0004]因此，如何简化芯片转移技术的工艺步骤，提高转移效率及转移良率是亟需解决的问题。发明内容[0005]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种半导体结构的制备方法、芯片转移方法及显示面板，旨在减少制备弱化结构所需的工艺步骤。