半导体结构的制备方法、微器件的转移方法及显示面板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115799291A(43)申请公布日2023.03.14(21)申请号202111062453.3(22)申请日2021.09.10(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人崔丽君萧俊龙刘海平(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师史治法(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)H01L33/00(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称半导体结构的制备方法、微器件的转移方法及显示面板(57)摘要本发明涉及一种半导体结构的制备方法、微器件的转移方法及显示面板。半导体结构的制备方法包括：提供第一暂态基板；于第一暂态基板的表面形成牺牲层，牺牲层内具有多个间隔排布的开口；于开口内形成弱化结构；提供衬底，衬底的表面具有多个微器件；将微器件与弱化结构粘合，微器件与弱化结构一一对应；去除衬底，以暴露出微器件的出光面；去除衬底后，微器件的出光面具有残留金属；去除残留金属，并去除牺牲层以释放弱化结构。在不破坏弱化结构的前提下，一步同时去除残留金属和牺牲层，使得弱化结构得以释放，节约成本，可减少制程工艺复杂度，提高微器件出光面的发光效率，降低微器件移动至背板的转移难度。CN115799291ACN115799291A权利要求书1/2页1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供第一暂态基板；于所述第一暂态基板的表面形成牺牲层，所述牺牲层内具有多个间隔排布的开口；于所述开口内形成弱化结构；提供衬底，所述衬底的表面具有多个微器件；将所述微器件与所述弱化结构粘合，所述微器件与所述弱化结构一一对应；去除所述衬底，以暴露出所述微器件的出光面；去除所述衬底后，所述微器件的出光面具有残留金属；去除所述残留金属，并去除所述牺牲层以释放所述弱化结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述牺牲层包括磷化铟层。3.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述去除所述残留金属，并去除所述牺牲层以释放所述弱化结构，包括：使用酸性溶液去除所述残留金属及所述牺牲层。4.如权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述去除所述残留金属，并去除所述牺牲层以释放所述弱化结构之后，还包括：使用去离子水对所述半导体结构进行清洗，并对清洗后的所述半导体结构进行干燥。5.如权利要求1‑4任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述微器件与所述衬底之间具有外延层；所述微器件包括磊晶、第一电极及第二电极；所述磊晶位于所述外延层远离所述衬底的表面；所述第一电极与所述第二电极均位于所述磊晶远离所述外延层的表面；将所述微器件与所述弱化结构粘合后，所述第一电极及所述第二电极嵌入所述弱化结构内；所述残留金属包括金属镓。6.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述去除所述衬底，以暴露出所述微器件的出光面，包括：采用激光剥离工艺去除所述衬底；其中，激光能量大于所述外延层的带隙宽度，且小于所述衬底的带隙宽度。7.一种微器件的转移方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1‑6任一项所述的半导体结构的制备方法制备所述半导体结构；提供转移结构及驱动背板；使用所述转移结构将所述微器件转移至所述驱动背板表面。8.如权利要求7所述的微器件的转移方法，其特征在于，所述弱化结构的材料包括热解胶；所述使用所述转移结构将所述微器件转移至所述驱动背板表面，包括：对所述第一暂态基板进行加热，使用所述转移结构拾取所述微器件；将拾取的所述微器件转移至所述驱动背板表面。9.如权利要求8所述的微器件的转移方法，其特征在于，所述转移结构包括第二暂态基板及转移构件，所述转移构件位于所述第二暂态基板的表面；所述使用所述转移结构将所述微器件转移至所述驱动背板表面，包括：使用所述转移构件拾取所述微器件，并将所述微器件转移至所述驱动背板表面。10.一种显示面板，其特征在于，包括驱动背板及固定于所述驱动背板上的多个微器2CN115799291A权利要求书2/2页件，多个所述微器件采用如权利要求7‑9任一项所述的微器件的转移方法转移至所述驱动背板的表面。3CN115799291A说明书1/8页半导体结构的制备方法、微器件的转移方法及显示面板技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及半导体结构的制备方法、微器件的转移方法及显示面板。背景技术[0002]微型发光二极管(MicroLightEmittingDiode，MicroLED)显示器作为新一代显示技术，相比于液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)、有机发光