弱化结构、半导体结构及其制备方法、芯片转移方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115775819A(43)申请公布日2023.03.10(21)申请号202111045306.5(22)申请日2021.09.07(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人蔡明达张杨陈靖中(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师郭凤杰(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)H01L33/00(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书1页说明书7页附图5页(54)发明名称弱化结构、半导体结构及其制备方法、芯片转移方法(57)摘要本发明涉及一种弱化结构及其制备方法、芯片转移方法。弱化结构的制备方法包括：提供基板；于基板的表面形成图形结构阵列，图形结构阵列包括多个呈阵列排布的图形结构，图形结构阵列内具有间隙；于间隙内形成弱化层；去除图形结构，以形成多个间隔排布的弱化结构。上述弱化结构的制备方法，在图形结构阵列的间隙中形成弱化层，利用间隙的形状来定义弱化结构的形状；由于图形结构阵列中各个图形结构的大小和形状均相同，因此，相邻图形结构之间的间隙形状也相同，在去除图形阵列结构后，可以形成尺寸统一的弱化结构，从而使得所有弱化结构具有相同的粘附力值，提高了芯片转移良率。CN115775819ACN115775819A权利要求书1/1页1.一种弱化结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；于所述基板的表面形成图形结构阵列，所述图形结构阵列包括多个呈阵列排布的图形结构，所述图形结构阵列内具有间隙；于所述间隙内形成弱化层；去除所述图形结构，以形成多个间隔排布的弱化结构。2.如权利要求1所述的弱化结构的制备方法，其特征在于，所述弱化层的厚度大于或等于所述图形结构厚度的一半。3.如权利要求1或2所述的弱化结构的制备方法，其特征在于，所述图形结构包括球状微粒，相邻所述球状微粒之间具有间隙，或相邻所述球状微粒相接触。4.一种弱化结构，其特征在于，所述弱化结构采用如权利要求1至3中任一项所述的弱化结构的制备方法制备而得到。5.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：采用权利要求1至3中任一项所述的弱化结构的制备方法制备所述弱化结构；相邻所述弱化结构之间具有凹槽；于所述凹槽内形成牺牲层，所述牺牲层至少填满所述凹槽；于所得结构的表面形成多个芯片，所述芯片与所述弱化结构接触。6.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度大于或等于所述凹槽的深度。7.如权利要求5或6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所得结构的表面形成多个芯片之后，还包括：去除所述牺牲层。8.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构采用如权利要求5至7中任一项所述的半导体结构的制备方法制备而得到。9.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：采用权利要求7所述的半导体结构的制备方法制备所述半导体结构；使用转移装置拾取所述芯片，并将所述芯片转移至背板的表面。10.一种显示面板，其特征在于，包括：背板及位于所述背板表面的多个芯片，多个所述芯片采用如权利要求9所述的芯片转移方法转移至所述背板的表面。2CN115775819A说明书1/7页弱化结构、半导体结构及其制备方法、芯片转移方法技术领域[0001]本发明涉及巨量转移技术领域，尤其涉及一种弱化结构、半导体结构及其制备方法、芯片转移方法。背景技术[0002]Micro‑LED(微发光二极管)是新兴的显示技术，相对比常规的显示技术，以MicroLED技术为核心的显示器具有响应速度快，自主发光、对比度高、使用寿命长、光电效率高等特点。[0003]在Micro‑LED的制备工艺流程过程中，需要将数以千万计的Micro‑LED从生长基板上剥离下来，然后将这些Micro‑LED转移到目标基板上。巨量转移作为技术突破关键点，其流程主要包含激光剥离、巨量转移以及检测修复过程。[0004]在将Micro‑LED从生长基板转移至暂存基板、再由暂存基板转移至背板的过程中，常用的方法包括有PICKandPLACE、激光转移方案等。在PICKandPLACE(拾取放置)中，会制备相应弱化结构，实现pick拾取工艺调节，实现良率可控。但是，在传统的制备弱化结构的方法中，容易出现弱化结构尺寸不统一、粘附力值存在差异的问题，导致转移良率降低。发明内容[0005]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种弱化结构、半导体结构及其制备方法、芯片转移方法，旨在解决弱化结构尺寸不统一、粘附力值存在差异的问题，提高转移良率。[0006]本发明公开了一种弱化结构的制备方法，包括：提供基板；于所述基板的表面形成图形结构阵列，所述图形结构阵列包括