多个加热区域结构的静电卡盘.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115775762A(43)申请公布日2023.03.10(21)申请号202111047523.8(22)申请日2021.09.07(71)申请人自适应等离子体技术公司地址韩国京畿道(72)发明人崔佑荧李相雨(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002专利代理师张晶崔龙铉(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图4页(54)发明名称多个加热区域结构的静电卡盘(57)摘要本发明涉及一种多个加热区域结构的静电卡盘。多个加热结构的静电卡盘包括：多个微型多加热器区域(11_1至11_N)，每个微型多加热器区域可以通过加热元件单独加热控制；开关模块(13)，包括连接到多个微型多加热器区域(11_1至11_N)中每一个的单独开关装置(14_1至14_N)；以及开关控制模块(15)，控制开关模块(13)的操作，其中固定于静电卡盘的晶片的不同部分由每个微型多加热器区域(11_1至11_N)独立加热。CN115775762ACN115775762A权利要求书1/1页1.一种多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，包括：多个微型多加热器区域(11_1至11_N)，每个微型多加热器区域通过加热元件单独加热控制；开关模块(13)，包括连接到多个微型多加热器区域(11_1至11_N)中每一个的单独开关装置(14_1至14_N)；以及开关控制模块(15)，控制开关模块(13)的操作，固定于静电卡盘的晶片的不同部分由每个微型多加热器区域(11_1至11_N)独立加热。2.根据权利要求1所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，进一步包括：AC加热器区域(21_1至21_L)，设置在形成于微型多加热器区域(11_1至11_N)上方的陶瓷层，AC加热器区域(21_1至21_L)设置有2至50个，并且通过每个半导体开关(22_1至22_L)控制操作。3.根据权利要求1所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，微型多加热器区域(11_1至11_N)设置在微型多区域板(43)。4.根据权利要求3所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，微型多区域板(43)设置在金属材料的操作主体(41)上形成的加热调节区域(RA)的内部。5.根据权利要求2所述的多个加热区域结构的静电卡盘，进一步包括：温度传感器，用于检测每个AC加热器区域(21_1至21_L)的温度。6.根据权利要求3所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，在微型多区域板(43)设置有传递每个加热器区域(11_1至11_N)的控制信息的光通信电路模块(44)、驱动模块(45)以及电源电路模块(46)。7.根据权利要求1所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，微型多加热器区域(11_1至11_N)设置有50至500个。8.根据权利要求4所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，操作主体(41)由铝材料制成。9.根据权利要求8所述的多个加热区域结构的静电卡盘，进一步包括：冷却管线(CL)，形成在操作主体(41)。10.根据权利要求4所述的多个加热区域结构的静电卡盘，其特征在于，加热调节区域(RA)的内部由热胶填充。2CN115775762A说明书1/8页多个加热区域结构的静电卡盘技术领域[0001]本发明涉及一种多个加热区域结构的静电卡盘，具体地，涉及一种多个加热区域结构的静电卡盘，其形成有彼此划分的多个加热区域，从而可以单独加热控制每个区域。背景技术[0002]在作为半导体制造工艺之一的蚀刻工艺过程中使用的静电卡盘(electrostaticchuck)可以具有晶片固定功能(waferchucking)和温度控制功能(temperaturecontrolling)。在刻蚀工艺过程中，需要保持晶片均匀温度，以确保工艺均匀性，从而可以提高工艺收率。为了确保静电卡盘的这种温度均匀性，需要控制静电卡盘(ESC)的温度，对此，国际公开号WO2011/049620公开了一种具有用于半导体处理的平坦加热器区域的加热板。另外，WO2013/049589公开了一种在处理室中控制温度的静电卡盘。为了保持晶片的均匀温度特性，需要控制用于固定晶片的静电卡盘的温度，并且可以在形成在静电卡盘的上部的绝缘层设置加热装置以控制温度。然而，通过这种加热装置难以均匀地控制整个静电卡盘或整个晶片的温度。通过这种加热装置的加热，在晶片的不同部分之间可能会出现温度偏差，并且需要对这种局部的温度偏差进行补偿。为此，与晶片接触的静电卡盘被划分成多个区域，并且需要对每个区域单独进行温度控制。另外，需要同时制定一种方法，使得用于温度控制的装置不影响工艺。然而，现有技术并没有公开这