一种电镜样品的制备方法及电镜样品.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115773912A(43)申请公布日2023.03.10(21)申请号202211371185.8(22)申请日2022.11.03(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人李振亚王鹏方玉娇刘祺祥(74)专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280专利代理师黎坚怡(51)Int.Cl.G01N1/28(2006.01)G01N23/04(2018.01)G01N23/20008(2018.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称一种电镜样品的制备方法及电镜样品(57)摘要本申请公开了一种电镜样品的制备方法及电镜样品，该制备方法包括：提供基体，基体的第一表面上设置有凹槽，至少在凹槽的内壁设置有第一金属种子层；至少在凹槽内的第一金属种子层远离基体的一侧形成金属分隔层，其中，金属分隔层的材质与第一金属种子层的材质不同；在第一金属种子层至金属分隔层方向上对包含凹槽的基体进行切割，使第一金属种子层、金属分隔层露出，以制得切片。通过上述方式，可以制备金属种子层清晰可辨且具备一定切割和减薄强度的电镜样品，可以对凹槽内各结构层的厚度及形貌进行有效分析。CN115773912ACN115773912A权利要求书1/2页1.一种电镜样品的制备方法，其特征在于，包括:提供基体，所述基体的第一表面上设置有凹槽，至少在所述凹槽的内壁设置有第一金属种子层；至少在所述凹槽内的所述第一金属种子层远离所述基体的一侧形成金属分隔层，其中，所述金属分隔层的材质与所述第一金属种子层的材质不同；在所述第一金属种子层至所述金属分隔层方向上对包含所述凹槽的所述基体进行切割，使所述第一金属种子层、所述金属分隔层露出，以制得切片。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供基体，所述基体的第一表面上设置有凹槽，至少在所述凹槽的内壁设置有第一金属种子层的步骤包括：在所述基体的所述第一表面形成所述凹槽；至少在所述凹槽的内壁形成阻挡层；至少在所述阻挡层背离所述凹槽一侧形成所述第一金属种子层；其中，所述阻挡层的材质与所述金属分隔层的材质相同。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属分隔层的材质包括钛、钛的化合物、钽以及钽的化合物中的至少一种。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述至少在所述凹槽内的所述第一金属种子层远离所述基体的一侧形成金属分隔层的步骤包括：沿垂直于所述第一表面且指向所述第一表面的第一方向，利用物理气相沉积方法在所述第一金属种子层远离所述基体一侧形成所述金属分隔层。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述至少在所述凹槽内的所述第一金属种子层远离所述基体的一侧形成金属分隔层的步骤之后，还包括：在所述金属分隔层背离所述基体的一侧形成增强层，所述增强层至少填充所述凹槽；其中，所述增强层的材质与所述金属分隔层的材质不同。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述增强层的材质包括金属，所述在所述金属分隔层背离所述基体的一侧形成增强层，所述增强层至少填充所述凹槽的步骤包括：在所述金属分隔层背离所述基体的一侧形成第二金属种子层；在所述第二金属种子层背离所述基体一侧电镀形成所述增强层。7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述增强层包括无机物，所述在所述金属分隔层背离所述基体的一侧形成增强层，所述增强层至少填充所述凹槽的步骤包括：沿垂直于所述第一表面且指向所述第一表面的第一方向，向所述基体热喷涂无机物，使所述无机物覆盖所述第一表面以及所述凹槽，直至所述无机物填充所述凹槽。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一金属种子层至所述金属分隔层方向上对包含所述凹槽的所述基体进行切割，使所述第一金属种子层、所述金属分隔层露出，以制得切片的步骤之后，还包括：减薄所述切片至预设厚度，所述预设厚度小于100nm。9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽为硅通孔，所述硅通孔的深宽比值大于10:1。10.一种电镜样品，其特征在于，由权利要求1‑9中任一项所述的电镜样品的制备方法制得，包括：2CN115773912A权利要求书2/2页基体，所述基体的第一表面上有凹槽；第一金属种子层，至少设置于所述凹槽内壁背离所述基体的一侧；金属分隔层，至少设置于所述凹槽内的所述第一金属种子层背离所述基体一侧，所述金属分隔层与所述第一金属种子层材质不同。3CN115773912A说明书1/6页一种电镜样品的制备方法及电镜样品技术领域[0001]本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种电镜样品的制备方法及电镜样品。背景技术[0002]对于有金属种子层的硅通孔结构的样品制备