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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115769915A(43)申请公布日2023.03.10(21)申请号202211492359.6A24F40/70(2020.01)(22)申请日2022.11.25(71)申请人深圳市卓尔悦电子科技有限公司地址518100广东省深圳市宝安区沙井街道沙头社区万安路蚝二工业区A栋一层至二层,B栋一层至二层,C栋一层至五层,E栋一层至二层,D栋101,2栋101,宿舍楼左右铁皮房,电工房101至103,门卫室一层,F栋二层至五层(72)发明人邱伟华任政(74)专利代理机构常州智慧腾达专利代理事务所(普通合伙)32328专利代理师曹军(51)Int.Cl.A24F40/46(2020.01)权利要求书2页说明书14页附图3页(54)发明名称雾化芯、雾化器、气溶胶发生装置及雾化芯制备方法(57)摘要本发明提供了一种雾化芯、雾化器、气溶胶发生装置及雾化芯制备方法,雾化芯包括发热膜和基底,发热膜用于在通电后加热并雾化气溶胶形成基质,基底用于承载发热膜,基底上设有用于供气溶胶形成基质传输至发热膜的通孔。雾化芯结构中,在表面较为光滑的基底上设置结合面,通过对结合面进行表面粗糙化处理,增加基底的结合面的粗糙度,仅需将发热膜直接结合于基底的结合面上,即可实现增强发热膜与基底之间的结合力,以提高发热膜与基底之间结合的牢固可靠性,改善或克服因基底表面较为光滑而容易引起发热膜出现膜层鼓包的问题,从而可有效避免发热膜因受到气流冲击或热冲击而引起发热膜与基底发生分离或脱落,有利于提升雾化芯加热工作的可靠性。CN115769915ACN115769915A权利要求书1/2页1.一种雾化芯,其特征在于,包括:发热膜,用于在通电后加热并雾化气溶胶形成基质;基底,用于承载所述发热膜,所述基底上设有用于供气溶胶形成基质传输至所述发热膜的通孔;以及其中,所述基底上设有用于供所述发热膜结合于所述基底上的结合面,所述结合面的粗糙度为0.003~15μm,所述发热膜设置于所述结合面上。2.如权利要求1所述的雾化芯,其特征在于,所述发热膜包括粘附层和加热层,所述粘附层结合于所述结合面上,所述加热层结合于所述粘附层背离所述结合面的一面上。3.如权利要求2所述的雾化芯,其特征在于,所述加热层的厚度为100~1000nm。4.如权利要求2所述的雾化芯,其特征在于,所述粘附层的厚度为1~100nm。5.如权利要求2所述的雾化芯,其特征在于,所述发热膜还包括电极层,所述电极层结合于所述粘附层和/或所述加热层上,所述电极层与所述加热层电性相连。6.如权利要求5所述的雾化芯,其特征在于,所述电极层的厚度为100~2000nm。7.如权利要求1至6任一项所述的雾化芯,其特征在于,所述基底由石英、硅、蓝宝石、氧化锆陶瓷和不锈钢材料中的至少一种材料制成。8.如权利要求1至6任一项所述的雾化芯,其特征在于,所述基底的热膨胀系数为(0.5~15)×10‑6/K,所述发热膜的热膨胀系数为(5~20)×10‑6/K,所述发热膜的热膨胀系数大于或等于所述基底的热膨胀系数。9.一种雾化器,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的雾化芯。10.一种气溶胶发生装置,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的雾化芯或如权利要求9所述的雾化器。11.一种雾化芯制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S01:将基底进行表面粗糙化处理,使得所述基底的结合面的粗糙度为0.003~15μm;步骤S02:在所述基底的结合面上沉积粘附层;步骤S03:在所述粘附层上沉积加热层;步骤S04:在所述粘附层和/或所述加热层上沉积电极层;其中,所述粘附层、所述加热层和所述电极层构成结合于所述结合面上的发热膜,所述基底上设有用于供气溶胶形成基质传输至所述发热膜的通孔。12.如权利要求11所述的雾化芯制备方法,其特征在于,所述雾化芯制备方法还包括有序孔基底制备步骤,所述有序孔基底制备步骤包括:选取硅板作为基底,采用湿法刻蚀、干法刻蚀和激光烧蚀中的至少一种开孔工艺,在所述基底上开设多个所述通孔,获得有序孔基底;或者,选取玻璃板为基底,采用喷砂法、光敏玻璃法、聚焦放电法、等离子刻蚀法、激光烧蚀法、电化学法、激光诱导刻蚀法中的至少一种开孔工艺,在所述基底上开设多个所述通孔,获得有序孔基底;或者,选取蓝宝石板、氧化锆陶瓷板或不锈钢板为基底,采用湿法腐蚀和激光烧蚀中的至少一种开孔工艺,在所述基底上开设多个所述通孔,获得有序孔基底。13.如权利要求11所述的雾化芯制备方法,其特征在于,所述表面粗糙化处理步骤中,2CN115769915A权利要求书2/2页通过50~600目研磨设备对所述基底的单面进行研磨,使得所述基底的结合面的粗糙度为0.003~15μm;或者,通过50~600目