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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106326964A(43)申请公布日2017.01.11(21)申请号201610101987.5(22)申请日2016.02.24(30)优先权数据15563452015.07.03FR(71)申请人意法半导体有限公司地址法国蒙鲁(72)发明人J·谷利尔(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人王茂华吕世磊(51)Int.Cl.G06K19/07(2006.01)G06K19/077(2006.01)权利要求书3页说明书4页附图3页(54)发明名称远程供电的非接触式卡(57)摘要本公开涉及远程供电的非接触式卡。该非接触式卡由被连接至整流器的输入的天线供电。整流器的输出被耦合至消耗输出自整流器的第一电流的处理单元。电流调节电路被连接至整流器的输出。电流调节电路操作以吸收来自整流器的输出的第二电流使得第一电流和第二电流的总和是恒定电流。CN106326964ACN106326964A权利要求书1/3页1.一种非接触式卡,被配置成由被连接至整流器的输入的天线供电,所述整流器具有被耦合至被配置成消耗第一电流的处理单元的输出,所述非接触式卡包括:电流调节电路,也被连接至所述整流器的所述输出并且被配置成吸收第二电流,使得所述第一电流和所述第二电流的总和是恒定电流。2.根据权利要求1所述的非接触式卡,其中所述恒定电流由电流源设定。3.根据权利要求2所述的非接触式卡,包括:第一电流镜,被配置成生成等于所述第一电流除以常数的第三电流;第二电流镜,具有接收所述第三电流的第一分支并且具有被耦合至与所述电流源耦合的节点的第二分支;和第三电流镜,具有被耦合至与所述电流源耦合的所述节点的第一分支并且具有被耦合至所述整流器的所述输出的第二分支。4.根据权利要求3所述的非接触式卡,其中所述常数大于10。5.根据权利要求4所述的非接触式卡,其中所述常数在从50到200的范围内。6.根据权利要求1所述的非接触式卡,其中所述处理单元被配置成生成用于启用和禁用所述电流调节电路的信号。7.根据权利要求6所述的非接触式卡,其中所述信号在其中所述非接触式卡操作以准备响应信号的阶段期间激活所述电流调节电路。8.根据权利要求2所述的非接触式卡,其中所述电流源被与由所述天线接收到的功率成正比地控制。9.根据权利要求8所述的非接触式卡,其中所述电流源包括:阻抗调节电路,被耦合至所述整流器的所述输出和所述天线的两个端部,所述阻抗调节电路被配置成限制所述整流器的输出电压;和电流发生电路,被配置成由所述阻抗调节电路控制。10.根据权利要求9所述的非接触式卡,其中所述阻抗调节电路包括:第一N沟道MOS晶体管和第二N沟道MOS晶体管,被配置成吸收与由所述天线接收到的功率相关的电流,并且具有被耦合到一起的栅极且具有被分别耦合至所述天线的端部的漏极;以及所述电流发生电路包括:第三N沟道MOS晶体管,具有被耦合至所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述栅极的栅极;和第四电流镜,具有被耦合至所述第三晶体管的漏极的第一分支并且具有供应所述电流源的电流的第二分支。11.一种电路,包括:电压调节器,具有第一晶体管,所述第一晶体管具有被耦合至整流器电路的输出的供应输入和被配置成提供经调节的电压的供应输出;电流感测晶体管,与所述第一晶体管并联耦合并且具有被配置成提供指示出流过所述第一晶体管的电流的第一电流的输出;第一电流镜电路,具有被配置成接收所述第一电流的输入和被配置成生成第二电流的输出;2CN106326964A权利要求书2/3页第二电流镜电路,具有被配置成生成被施加至所述整流器电路的所述输出的第三电流的输出,并且进一步具有被配置成接收所述第二电流和来自电流源的第四电流的输入。12.根据权利要求11所述的电路,其中所述整流器电路的输入被耦合至天线的端子。13.根据权利要求11所述的电路,其中所述电压调节器进一步包括:放大器,具有被耦合至所述第一晶体管和电流感测晶体管的控制端子的输出。14.根据权利要求11所述的电路,其中所述第一电流镜包括:第二晶体管,处于二极管连接的配置中,被连接成接收所述第一电流;和第三晶体管,具有被耦合至所述第二晶体管的控制端子的控制端子并且被配置成生成所述第二电流。15.根据权利要求11所述的电路,其中所述第二电流镜包括:第四晶体管,处于二极管连接的配置中,被连接成接收所述第二电流和所述第四电流;和第五晶体管,具有被耦合至所述第四晶体管的控制端子的控制端子并且被配置成生成所述第三电流。16.根据权利要求11所述的电路,进一步包括生成所述第四电流的电流源,所述电流源包括:第六晶体管,被耦合在所述整流器电路的第一输入与参考节点之间;第七晶体管,被耦合在所述整流器电路的第二输入与所述参考节点之间