光子集成电路、光检测和测距系统及用于操作光子集成电路、光检测和测距系统的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114761847A(43)申请公布日2022.07.15(21)申请号202080081994.8A·亚里弗(22)申请日2020.09.25(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公(30)优先权数据司3110062/954,0122019.12.27US专利代理师黄嵩泉李炜(85)PCT国际申请进入国家阶段日(51)Int.Cl.2022.05.25G02B6/122(2006.01)G01S7/481(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据G01S17/10(2020.01)PCT/US2020/0526012020.09.25G02B6/12(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/133445EN2021.07.01(71)申请人英特尔公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人G·拉库尔吉克N·萨蒂安Y·维伦奇克R·弗里德曼D·格罗登斯基I·彼得罗纽斯权利要求书5页说明书17页附图6页(54)发明名称子集成电路外部的光，该至少一个第二光电检测光子集成电路、光检测和测距系统及用于操器被定位在至少一个第二光输出端附近。作光子集成电路、光检测和测距系统的方法(57)摘要一种光子集成电路，包括半导体光子衬底，该半导体光子衬底具有集成于其上的至少一个光接收输入端；至少一个分光器，用于将在至少一个光接收输入端处接收到的光分支到第一光路和第二光路；其中，光子集成电路在第一光路中包括：至少一个第一放大器结构，用于对第一光路中的光进行放大，以提供第一经放大的光；至少一个第一光输出端，用于输出来自至少一个第一放大器结构的第一经放大的光；以及至少一个第一光电检测器，用于接收来自光子集成电路外部的光，至少一个第一光电检测器被定位在至少一个第一光输出端附近；其中，光子集成电路在第二光路中包括：至少一个第二放大器结构，用于对第二光路中的光进行放大以提供第二经放大的光；至少一个第二光输出端，用于输出来自至少一个第二放大器结构的第二经放大的光；CN114761847A以及至少一个第二光电检测器，用于接收来自光CN114761847A权利要求书1/5页1.一种光子集成电路，包括半导体光子衬底，所述半导体光子衬底具有集成于其中的以下各项：至少一个光接收输入端；至少一个分光器，用于将在所述至少一个光接收输入端处接收到的光分支到第一光路和第二光路；其中，所述光子集成电路在所述第一光路中包括：至少一个第一放大器结构，用于对所述第一光路中的光进行放大以提供第一经放大的光；至少一个第一光输出端，用于输出来自所述至少一个第一放大器结构的所述第一经放大的光；以及至少一个第一光电检测器，用于接收来自所述光子集成电路外部的光，所述至少一个第一光电检测器被定位在所述至少一个第一光输出端附近；其中，所述光子集成电路在所述第二光路中包括：至少一个第二放大器结构，用于对所述第二光路中的光进行放大以提供第二经放大的光；至少一个第二光输出端，用于输出来自所述至少一个第二放大器结构的所述第二经放大的光；以及至少一个第二光电检测器，用于接收来自所述光子集成电路外部的光，所述至少一个第二光电检测器被定位在所述至少一个第二光输出端附近。2.如权利要求1所述的光子集成电路，进一步包括：其中所述半导体光子衬底由半导体材料制成。3.如权利要求1至2中任一项所述的光子集成电路，其中，所述至少一个第一光输出端和所述至少一个第一光电检测器被布置在所述光子集成电路的同一侧上；和/或其中，所述至少一个第二光输出端和所述至少一个第二光电检测器被布置在所述光子集成电路的同一侧上。4.如权利要求1至3中任一项所述的光子集成电路，其中，所述光子集成电路在所述第一光路中包括至少一个第一波导结构；和/或其中，所述光子集成电路在所述第二光路中包括至少一个第二波导结构。5.如权利要求1至4中任一项所述的光子集成电路，其中，所述光子集成电路在所述第一光路中包括至少一个分光器，所述至少一个分光器用于将从所述至少一个光接收输入端接收到的光分支到所述至少一个第一光电检测器和所述第一光输出端；和/或其中，所述光子集成电路在所述第二光路中包括至少一个分光器，所述至少一个分光器用于将从所述至少一个光接收输入端接收到的光分支到所述至少一个第二光电检测器和所述第二光输出端。6.如权利要求1至5中任一项所述的光子集成电路，其中，所述光子集成电路在所述第一光路中包括至少一个经平衡的光电检测器对；和/或2CN114761847A权利要求书2/5页其中，所述光子集成电路在所述第二光路中包括至少一个经平衡的光电检测器对。7.如权利要求1至6中任一项所述的光子集成电路，包括在共同的半导体光子衬底上的多个波导结构，以及在同一半导体光子衬底上的多个光电检测器，