垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法、封装组件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115832863A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202310030700.4(22)申请日2023.01.10(71)申请人苏州长光华芯光电技术股份有限公司地址215163江苏省苏州市高新区漓江路56号(72)发明人苗霈肖垚王俊刘恒(74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250专利代理师薛异荣(51)Int.Cl.H01S5/024(2006.01)H01S5/183(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图8页(54)发明名称垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法、封装组件(57)摘要本发明提供一种垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法、封装组件，垂直腔面发射半导体发光结构包括：背面电极层；位于所述背面电极层一侧的第一布拉格反射镜；位于所述第一布拉格反射镜背向所述背面电极层一侧的有源层；位于所述有源层背向所述第一布拉格反射镜一侧的第二布拉格反射镜；所述背面电极层和所述第一布拉格反射镜之间未设置衬底层。所述垂直腔面发射半导体发光结构的散热能力提高。CN115832863ACN115832863A权利要求书1/2页1.一种垂直腔面发射半导体发光结构，其特征在于，包括：背面电极层；位于背面电极层一侧的第一布拉格反射镜；位于所述第一布拉格反射镜背向所述背面电极层一侧的有源层；位于所述有源层背向所述第一布拉格反射镜一侧的第二布拉格反射镜；所述背面电极层和所述第一布拉格反射镜之间未设置衬底层。2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射半导体发光结构，其特征在于，还包括：位于所述背面电极层和所述第一布拉格反射镜之间的接触掺杂层，所述接触掺杂层中的掺杂浓度大于第一布拉格反射镜中的掺杂浓度。3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射半导体发光结构，其特征在于，所述接触掺杂层的厚度为100nm~200nm。4.根据权利要求2所述的垂直腔面发射半导体发光结构，其特征在于，所述接触掺杂层的材料包括N型掺杂GaAs。5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射半导体发光结构，其特征在于，所述垂直腔面发射半导体发光结构的厚度小于或等于10微米。6.一种垂直腔面发射半导体发光结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底层；在所述衬底层的一侧形成第一布拉格反射镜；在所述第一布拉格反射镜背离所述衬底层的一侧依次形成有源层和第二布拉格反射镜；形成所述第二布拉格反射镜之后，刻蚀去除所述衬底层；去除所述衬底层之后，在所述第一布拉格反射镜背离所述有源层的一侧形成背面电极层。7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射半导体发光结构的制备方法，其特征在于，还包括：在形成第一布拉格反射镜之前，在所述衬底层的一侧表面形成刻蚀截止层；在所述衬底层的一侧形成第一布拉格反射镜的步骤为：在所述刻蚀截止层背离所述衬底层的一侧形成第一布拉格反射镜；去除所述衬底层的步骤中，以所述刻蚀截止层为停止层；去除衬底层之后，且在形成背面电极层之前，刻蚀去除所述刻蚀截止层。8.根据权利要求7所述的垂直腔面发射半导体发光结构的制备方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一布拉格反射镜之前，在所述刻蚀截止层背离所述衬底层的一侧表面形成接触掺杂层；形成背面电极层之后，所述接触掺杂层位于所述背面电极层和所述第一布拉格反射镜之间。9.根据权利要求6所述的垂直腔面发射半导体发光结构的制备方法，其特征在于，还包括：刻蚀去除所述衬底层之前，在所述第二布拉格反射镜、有源层和至少部分厚度的第一布拉格反射镜中形成若干开口，相邻的开口之间构成发光柱；在所述发光柱的顶部表面形成正面电极层；形成所述正面电极层之后，在所述正面电极层背离所述衬底层的一侧以及相邻的发光柱之间形成键合胶层；提供临时衬底，形成所述键合胶层之后，将所述键合胶层键合到所述临时衬底上；将所2CN115832863A权利要求书2/2页述键合胶层键合到所述临时衬底上之后，刻蚀去除所述衬底层；形成所述背面电极层之后，去除所述临时衬底和所述键合胶层。10.根据权利要求7所述的垂直腔面发射半导体发光结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀截止层的材料包括InGaP。11.根据权利要求7所述的垂直腔面发射半导体发光结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀截止层的厚度为50nm~150nm。12.一种封装组件，其特征在于，包括：如权利要求1至5任意一项所述的垂直腔面发射半导体发光结构；热沉，所述半导体发光结构位于所述热沉上。13.根据权利要求12所述的封装组件，其特征在于，还包括：冷却装置；所述热沉位于所述冷却装置上。3CN115832863A说明书1/7页垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法、封装组件技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法、封