薄膜体声波谐振器及其制造方法.pdf
子璇****君淑
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薄膜体声波谐振器及其制造方法.pdf
本发明的薄膜体声波谐振器(10)具有:衬底(1),该衬底(1)由压电晶体构成;压电层(2),该压电层(2)垂直于衬底(1)的表面、且由衬底(1)的一部分来构成;第一电极(3),该第一电极(3)在衬底(1)上与压电层(2)平行地形成于压电层(2)的一侧;第二电极(4),该第二电极(4)在衬底(1)上与压电层(2)平行地形成于压电层(2)的另一侧;第一空腔层(5),该第一空腔层(5)在衬底(1)上与第一电极(3)平行地形成于第一电极(3)的远离压电层(2)的一侧;第二空腔层(5),该第二空腔层(5)在衬底(1
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本申请涉及半导体器件领域,公开一种体声波(bulkacousticwave,BAW)谐振器及其制造方法。该谐振器包括:衬底、设置于衬底上方的压电层、设置于压电层下方的第一电极、设置于压电层上方的第二电极、设置于衬底和压电层之间的第一介质层、第二介质层和第三介质层、以及设置于第三介质层和衬底之间的键合层。第一介质层设置于压电层下方并包括空腔。第三介质层设置于第一介质层下方,并包括朝向压电层突出的突出结构。第二介质层覆盖第三介质层,该第三介质层包括突出结构,第二介质层和第三介质层的突出结构构成围绕空腔的双
薄膜体声波谐振器、滤波器及薄膜体声波谐振器制备方法.pdf
本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器、滤波器及薄膜体声波谐振器制备方法,该薄膜体声波谐振器包括:支撑结构,所述支撑结构内部设置空气隙;形成在所述支撑结构上的自下而上排列的下电极、压电层和上电极。本发明实施例提供的技术方案,增加了薄膜体声波谐振器的机械牢固度,有效避免常规工艺牺牲层被灌入通孔的腐蚀液腐蚀不完全和腐蚀液清洗不干净的问题。
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一种兼容CMOS工艺的体声波谐振器及其制造方法,该谐振器包括:压电膜阵列,包括在衬底与盖帽层之间的多个压电膜,垂直方向上相邻压电膜之间、压电膜与盖帽层之间以及压电膜与衬底之间具有多个第一空腔,水平第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔,水平第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔;多个电极层,至少覆盖每个压电膜的顶面和底面;多个电极互连层,沿第三空腔侧面连接压电膜底面的电极层;驱动晶体管位于盖帽层中,漏极电连接顶部压电膜的顶部电极层;驱动晶体管的源极和漏极上具有欧姆接触层。本发明采用CMOS兼容工艺
具有多层复合基底的薄膜体声波谐振器及其制备方法.pdf
本发明提供了一种具有多层复合基底的薄膜体声波谐振器及其制备方法,包括第一衬底、第二衬底、第三衬底、底电极、压电层以及顶电极;第三衬底、第二衬底以及第一衬底依次叠放设置,构成复合衬底;底电极设置在第三衬底上;压电层设置在底电极上,压电层与底电极、第三衬底连接设置;第三衬底、底电极以及压电层之间形成空腔结构;顶电极设置在压电层上;压电层上设置有释放孔开口,释放孔开口与空腔连通。本发明能够得到高机械稳定性、几乎无残留物的空腔,并且凭借电阻率逐级递增的复合衬底的设置可以对寄生电容加以限制,还具有工艺简单、易实施的