基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112466775A(43)申请公布日2021.03.09(21)申请号202010859179.1(22)申请日2020.08.24(30)优先权数据2019-1627032019.09.06JP(71)申请人株式会社国际电气地址日本东京都(72)发明人三部诚竹桥信明(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人孙明轩(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/677(2006.01)H01L21/687(2006.01)F27B17/00(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图5页(54)发明名称基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质(57)摘要本发明提供一种能够以较高的温度处理基板并能减少对炉口部造成的热损伤的基板处理装置。基板处理装置具备：反应管，其在内部构成处理室并在下方具有炉口；加热筒，其设于反应管的外周侧，并针对沿管轴向分割的多个分区的每一个设有加热器；多个加热器温度传感器，其测定与各分区对应的加热器的温度；温度调节器，其基于温度测定数据来控制向各加热器供给的电力，而针对每个分区调节温度；和使晶舟旋转的旋转机构，温度调节器在进行基板的加热处理时，针对每个加热器控制向多个加热器供给的电力，使得将与配置有基板的分区对应的所述加热器设为预先设定的温度，并在炉口侧未配置基板的分区内，形成使温度朝向所述炉口下降的温度梯度。CN112466775ACN112466775A权利要求书1/2页1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：反应管，其一端具有供保持多个基板的晶舟插入的炉口，并在内部构成对所述多个基板进行处理的处理室；多个加热器，其在所述反应管的外周侧从炉口侧设置到所述反应管的另一端，并沿管轴向针对多个分区的每一个分割设置；多个温度传感器，其测定所述分区的温度或与所述分区对应的所述加热器的温度；温度调节器，其基于由所述温度传感器获得的温度数据来控制向各个所述加热器供给的电力，而针对每个所述分区调节温度；和炉口组件，其包括封闭所述炉口的盖，所述温度调节器在加热多个所述加热器来对所述基板进行热处理时，针对每个所述加热器控制向多个所述加热器供给的电力，使得将与配置有所述基板的所述分区对应的所述加热器设为预先设定的温度，并在炉口侧未配置所述基板的两个以上的所述分区内，形成使温度朝向所述炉口下降的温度梯度。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，与在最靠近炉口侧未配置所述基板的所述分区对应设置的所述温度传感器配置于与该分区对应的所述加热器中与炉口侧相反的相反侧，与从所述炉口侧数为第2个的所述分区对应设置的所述温度传感器配置于与该分区对应的所述加热器中与炉口侧相反的相反侧。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述炉口组件具备封堵所述处理室的炉口的盖，在所述盖与所述晶舟之间设有隔热构造体，以当所述炉口由所述盖关闭时，所述隔热构造体的上端位于从炉口侧数为第2个的所述分区内的方式，设定所述隔热构造体的高度。4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述炉口组件具备设于所述盖并使所述晶舟旋转的旋转机构，当对所述基板进行热处理时，所述旋转机构在基板上沿着周向产生气流，并以提高所述晶舟的半径方向上的所述基板的处理均匀性的速度使所述晶舟旋转，所述温度调节器将与配置有所述基板的所述分区对应的所述加热器控制为1250℃以上的处理温度，将与在最靠近炉口侧未配置所述基板的所述分区对应的所述加热器控制为比所述处理温度低的温度，并在从所述炉口侧数为第2个的所述分区内形成所述温度梯度。5.根据权利要求1或4所述的基板处理装置，其特征在于，还具有在所述基板的处理中向处理室内供给稀有气体的气体导入管。6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述旋转机构在所述加热器被控制为1250℃以上的处理温度的期间，使所述基板旋转。7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述旋转机构在所述加热器被控制为1250℃以上的处理温度的期间，不使所述基板旋转，在与所述处理温度相比为低温且包含被动氧化和主动氧化的转变温度在内温度带内，使所述基板旋转。8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，还具有将所述晶舟相对于所述反应管搬入以及搬出的升降机，2CN112466775A权利要求书2/2页所述旋转机构在所述加热器被控制为1250℃以上的处理温度的期间，不使所述基板旋转，在由所述升降机进行所述晶舟的搬入以及搬出的期间内、且在所述基板处于与所述处理温度相比为低温时，使所述基板旋转。9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：插入工序，其从设于反应管的一端的炉口将保持多个基板的晶舟插入所述反应管的