预览加载中，请您耐心等待几秒...

一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法.pdf

预览
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲，该文档总共12页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～

下载提示 文本预览

如果您无法下载资料，请参考说明：

1、部分资料下载需要金币，请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档，再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压，在使用对应软件打开

本发明公开一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法,包括由下至上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、n+?GaN外延层(3a)、n??GaN外延层(3b),n??GaN外延层(3b)上表面为肖特基电极设置区域(13b),n+?GaN外延层(3a)上表面局部露出部分为欧姆电极设置区域(13a);第一绝缘保护层(6a)覆盖在欧姆电极设置区域(13a)上和肖特基电极设置区域(13b)上,且还覆盖在n+?GaN外延层(3a)与n??GaN外延层(3b)形成的台阶侧壁面上,第一绝缘保护层(6a)在欧姆电极设置区域(13a)上形成的窗口中设置有欧姆电极(4),第一绝缘保护层(6a)在肖特基电极设置区域(13b)上形成的窗口中设置有肖特基电极(5)。本发明肖特基势垒二极管增加正向电流,提高反向击穿电压。